電子系統(tǒng)在快速發(fā)展, 但是磁性器件二維化而引發(fā)與三維塊材迥異的特性和制備工藝與半導體技術難以兼容的問題仍未能很好的解決. 因此 MnZn鐵氧體作為一種優(yōu)良磁性器件用磁性材料, 對其進行薄膜化并研究其特性, 乃至最終制作成平面化、小型化的磁性器件顯得尤為重要.
四川某實驗室采用伯東 KRI 考夫曼射頻離子源 RFCIP220 輔助磁控濺射沉積方法在 Si(100)/ Si(111) 和玻璃基片上原位沉積 MnZn 鐵氧體薄膜, 用以研究 MnZn 鐵氧體薄膜的低溫晶化、取向生長等問題.
伯東 KRI 射頻離子源 RFICP220 技術參數(shù):
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離子源型號 |
RFICP220 |
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Discharge |
RFICP 射頻 |
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離子束流 |
>800 mA |
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離子動能 |
100-1200 V |
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柵極直徑 |
20 cm Φ |
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離子束 |
聚焦, 平行, 散射 |
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流量 |
10-40 sccm |
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通氣 |
Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他 |
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典型壓力 |
< 0.5m Torr |
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長度 |
30 cm |
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直徑 |
41 cm |
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中和器 |
LFN 2000 |
* 可選: 燈絲中和器; 可變長度的增量
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試驗中, 采用伯東 KRI 考夫曼射頻離子源 RFCIP220 輔助磁控濺射沉積的方法獲得均勻致密、大面積的 MnZn 鐵氧體薄膜, 沉積過程中通過調(diào)節(jié)參數(shù), 從而改變薄膜厚度、晶粒尺寸, 得到多種規(guī)格的高性能的 MnZn 鐵氧體薄膜材料, 滿足各種試驗需求.
KRI 離子源的獨特功能實現(xiàn)了更好的性能, 增強的可靠性和新穎的材料工藝. KRI 離子源已經(jīng)獲得了理想的薄膜和表面特性, 而這些特性在不使用 KRI 離子源技術的情況下是無法實現(xiàn)的.
因此, 該研究項目才采用 KRI 考夫曼射頻離子源 RFCIP220 輔助濺射沉積工藝.
伯東是德國 Pfeiffer 真空泵, 檢漏儀, 質(zhì)譜儀, 真空計, 美國 KRI 考夫曼離子源, 美國HVA 真空閥門, 美國 inTEST 高低溫沖擊測試機, 美國 Ambrell 感應加熱設備和日本 NS 離子蝕刻機等進口知名品牌的代理商.
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