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產(chǎn)品簡介
KRI 考夫曼射頻離子源 RFICP380 輔助磁控濺射制 TiSiN-Ag 薄膜
KRI 考夫曼射頻離子源 RFICP380 輔助磁控濺射制 TiSiN-Ag 薄膜
產(chǎn)品價格:
上架日期:2023-03-24 11:26:28
產(chǎn)地:美國
發(fā)貨地:上海
供應(yīng)數(shù)量:不限
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詳細(xì)說明

    為了研究 Ag 元素對 TiSiN 薄膜結(jié)構(gòu)及性能的影響, 江蘇某大學(xué)課題組采用伯東 KRI 考夫曼射頻離子源 RFICP380 輔助磁控濺射法制備了不同 Ag 含量的 TiSiN-Ag 薄膜, 并采用EDS, XRD, XPS, TEM, CSM 納米壓痕儀, UMT-2 摩擦磨損儀和 BRUKER 三維形貌儀對薄膜的成分/ 微結(jié)構(gòu)/ 力學(xué)性能和摩擦磨損性能進(jìn)行了研究

     

    KRI 射頻離子源 RFICP380 技術(shù)參數(shù):

    射頻離子源型號

    RFICP380

    Discharge 陽極

    射頻 RFICP

    離子束流

    >1500 mA

    離子動能

    100-1200 V

    柵極直徑

    30 cm Φ

    離子束

    聚焦, 平行, 散射

    流量

    15-50 sccm

    通氣

    Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他

    典型壓力

    < 0.5m Torr

    長度

    39 cm

    直徑

    59 cm

    中和器

    LFN 2000

     

    Ti N 薄膜是金屬氮化物的代表性材料,具有硬度高/ 耐摩擦/ 化學(xué)穩(wěn)定性強等優(yōu)點, 作為工模具耐磨涂層已得到了廣泛的應(yīng)用, 但其硬度和抗氧化性能有待進(jìn)一步加強. 向 Ti N 中添加 Si 元素, 形成的 Ti-Si N 薄膜硬度是 Ti N 薄膜的 2 倍, 當(dāng) Si 含量為 21.28% 時 Ti Si N 薄膜的氧化溫度為800℃, 高于 Ti N 薄膜的 300℃, 但其摩擦系數(shù)在 0.65 左右, 摩擦性能需要進(jìn)一步提高.  Ag和Au等貴金屬在室溫和中溫范圍內(nèi)具有良好的潤滑性, Ag 摻入耐磨涂層中可以改善其摩擦磨損性能.  

     

    KRI 離子源的獨特功能實現(xiàn)了更好的性能, 增強的可靠性和新穎的材料工藝. KRI 離子源已經(jīng)獲得了理想的薄膜和表面特性, 而這些特性在不使用 KRI 離子源技術(shù)的情況下是無法實現(xiàn)的.

     

    若您需要進(jìn)一步的了解詳細(xì)信息或討論,  請參考以下聯(lián)絡(luò)方式:

    上海伯東: 羅先生                               臺灣伯東: 王女士
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