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產(chǎn)品簡(jiǎn)介
伯東 KRI 雙離子源輔助離子束濺射技術(shù)獲取高反射吸收Ta2O5薄膜
伯東 KRI 雙離子源輔助離子束濺射技術(shù)獲取高反射吸收Ta2O5薄膜
產(chǎn)品價(jià)格:¥11
上架日期:2020-10-16 10:53:35
產(chǎn)地:美國(guó)
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詳細(xì)說(shuō)明

    為了獲取高性能紫外激光薄膜元件, 急需研制紫外高吸收薄膜, 某研究所采用伯東 KRI 雙離子源輔助離子束濺射沉積技術(shù)鍍制 Ta2O薄膜進(jìn)行研究.

     

    其系統(tǒng)工作示意圖如下:

     

     

    該研究所的離子束濺射鍍膜組成系統(tǒng)主要由濺射室、雙離子源、濺射靶、基片臺(tái)等部分組成.

     

    其中雙離子源中的一個(gè)離子源適用于濺射靶材, 另個(gè)離子源是用于基材的預(yù)清洗.

     

    用于濺射的離子源采用伯東的 KRI 聚焦型射頻離子源 380, 其參數(shù)如下:

     

    伯東 KRI 聚焦型射頻離子源 RFICP 380 技術(shù)參數(shù):

    射頻離子源型號(hào)

    RFICP 380

    Discharge 陽(yáng)極

    射頻 RFICP

    離子束流

    >1500 mA

    離子動(dòng)能

    100-1200 V

    柵極直徑

    30 cm Φ

    離子束

    聚焦

    流量

    15-50 sccm

    通氣

    Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他

    典型壓力

    < 0.5m Torr

    長(zhǎng)度

    39 cm

    直徑

    59 cm

    中和器

    LFN 2000

     

    推薦理由:

    聚焦型濺射離子源一方面可以增加束流密度, 提高濺射率; 另一方面減小離子束的散射面積, 減少散射的離子濺射在靶材以外的地方引起污染

     

    用于預(yù)清洗的離子源是采用伯東 KRI 霍爾離子源 Gridless eH 3000

     

    KRI 霍爾離子源 Gridless eH 3000 技術(shù)參數(shù):

    離子源型號(hào)

     

    霍爾離子源

    eH3000
    eH3000LO
    eH3000MO

    Cathode/Neutralizer

    HC

    電壓

    50-250V
    50-300V
    50-250V

    電流

    20A
    10A
    15A

    散射角度

    >45

    可充其他

    Ar, O2, N2, H2, organic precursors, others

    氣體流量

    5-100sccm

    高度

    6.0“

    直徑

    9.7“

    水冷

    可選

     

    其濺射室需要沉積前本底真空抽到 1×10-5Pa, 經(jīng)推薦采用伯東分子泵組  Hicube 80 Pro, 其技術(shù)參數(shù)如下:

    進(jìn)氣法蘭

    氮?dú)獬樗?br />  N2,l/s

    極限真空 hpa

    前級(jí)泵

    型號(hào)

    前級(jí)泵抽速
     m3/h

    前級(jí)真空
    安全閥

    DN 40 ISO-KF

    35

    < 1X10-7

    Pascal 2021

    18

    AVC 025 MA

     

    運(yùn)行結(jié)果:

    伯東 KRI 雙離子源輔助離子束濺射技術(shù)可以制備不同吸收率的355nm高反射吸收 Ta2O薄膜.

     

    伯東是德國(guó) Pfeiffer 真空泵檢漏儀質(zhì)譜儀真空計(jì), 美國(guó) KRI 考夫曼離子源, 美國(guó)HVA 真空閥門, 美國(guó) inTEST 高低溫沖擊測(cè)試機(jī), 美國(guó) Ambrell 感應(yīng)加熱設(shè)備和日本 NS 離子蝕刻機(jī)等進(jìn)口知名品牌的指定代理商.

     

     

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