廈門航拓電氣有限公司
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無損檢測就是在不損傷和不破壞材料、制品或構(gòu)件的情況下,就能檢測出它們內(nèi)部的情況,判別內(nèi)部有無缺陷?,F(xiàn)代無損檢測的方法很多,例如:超聲波探傷法、渦流探傷法、熒光探傷法及射線檢測法等。射線檢測法即可檢查工件表面又可檢查工件內(nèi)部的缺陷。設(shè)備可以采用放射性同位素Co60產(chǎn)生的γ射線、X光機產(chǎn)生的低能X射線和電子加速器產(chǎn)生的高能X射線。尤其是探傷加速器的穿透本領(lǐng)和靈敏度高,作為一種最終檢查手段或其它探傷方法的驗證手段及在質(zhì)量控制中,在大型鑄鍛焊件、大型壓力容器、反應(yīng)堆壓力殼、火箭的固體燃料等工件的缺陷檢驗中得到廣泛的應(yīng)用。這種探傷加速器以電子直線加速器為主要機型。
超大規(guī)模集成電路是指集成度(每塊芯片所包含的元器件數(shù))大于10的集成電路。集成電路一般是在一塊厚0.2~0.5mm、面積約為0.5mm的P型硅片上通過平面工藝制做成的。這種硅片(稱為集成電路的基片)上可以做出包含為十個(或更多)二極管、電阻、電容和連接導(dǎo)線的電路
與分立元器件相比,集成電路元器件有以下特點:
1. 單個元器件的精度不高,受溫度影響也較大,但在同一硅片上用相同工藝制造出來的元器件性能比較一致,對稱性好,相鄰元器件的溫度差別小,因而同一類元器件溫度特性也基本一致;
2. 集成電阻及電容的數(shù)值范圍窄,數(shù)值較大的電阻、電容占用硅片面積大。集成電阻一般在幾十Ω~幾十 kΩ范圍內(nèi),電容一般為幾十pF。電感目前不能集成;
3. 元器件性能參數(shù)的絕對誤差比較大,而同類元器件性能參數(shù)之比值比較精確;
4. 縱向NPN管β值較大,占用硅片面積小,容易制造。而橫向PNP管的β值很小,但其PN結(jié)的耐壓高。
它的設(shè)計特點:
由于制造工藝及元器件的特點,模擬集成電路在電路設(shè)計思想上與分立元器件電路相比有很大的不同。
1. 在所用元器件方面,盡可能地多用晶體管,少用電阻、電容;
2. 在電路形式上大量選用差動放大電路與各種恒流源電路,級間耦合采用直接耦合方式;
3. 盡可能地利用參數(shù)補償原理把對單個元器件的高精度要求轉(zhuǎn)化為對兩個器件有相同參數(shù)誤差的要求;盡量選擇特性只受電阻或其它參數(shù)比值影響的電路
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