140DDO84300施耐德PLC說明
離散量輸出模塊 Modicon Quantum - 16 O - 10..60 V 直流
140DDO84300產(chǎn)品特性
主要信息
140DDO84300產(chǎn)品系列
Modicon Quantum 自動(dòng)化平臺
產(chǎn)品類型
直流離散量輸出模塊
離散量輸出數(shù)量
16
補(bǔ)充信息
通道配置
2 組 8 個(gè)
離散量輸出邏輯
負(fù)邏輯 (阱)
地址需求
1 輸出字
離散量輸出電壓
10...60 V DC
輸出電壓限制
10.2...72 V
絕對最大輸出
72 V 恒定
壓降
<= 1 V 2 A
最大負(fù)載電流
12 A 每模塊
6 A 每組
浪涌電流
<= 7.5 A 用于50 s
響應(yīng)時(shí)間
<= 1 ms 在 0 狀態(tài)到 1 狀態(tài)
<= 1 ms 在 1 狀態(tài)到 0 狀態(tài)
泄漏電流
<= 1 mA 60 V
負(fù)載電感
電感(H) = 0.5/((電流(A))2 x (開關(guān)頻率(Hz)))
與繼電器配合使用的熔絲
2 A 每點(diǎn)
8 A 每組
各通道與總線之間的絕緣
2500 Vrms 直流 持續(xù)1分鐘
組之間的絕緣
700 Vrms 直流 持續(xù)1分鐘
保護(hù)類型
每組 8A 熔斷器的內(nèi)部輸出保護(hù)
功率消耗
1 W + (1 V x 總模塊負(fù)載電流)
標(biāo)識
CE
接地信號
1 LED 綠色 總線通信進(jìn)行中 (活動(dòng))
1 LED 紅色 檢測到外部故障 (F)
16 個(gè)LED 綠色 輸入狀態(tài) ( 1 到 32)
需求總線電流
160 mA
模塊分類
標(biāo)準(zhǔn)
產(chǎn)品重量
0.45 kg
環(huán)境
產(chǎn)品認(rèn)證
FM , 1類, 2分類
GOST
C-Tick
RMRS
符合標(biāo)準(zhǔn)
UL 508
CSA C22.2 No 142
抗靜電放電
4 kV 觸點(diǎn) 符合 IEC 801-2
8 kV 廣播 符合 IEC 801-2
抗電磁域
10 V/m 80...2000 MHz 符合 IEC 801-3
運(yùn)行溫度
0...60 °C
貯存環(huán)境溫度
-40...85 °C
相對濕度
95 % 無冷凝
工作海拔
<= 5000 m
供應(yīng)的可持續(xù)性
產(chǎn)品類型
綠色產(chǎn)品認(rèn)證標(biāo)志 (Green Premium) 產(chǎn)品
RoHS法規(guī)（日期代碼：YYWW）
符合 自從 0901 - Schneider Electric declaration of conbity Schneider Electric declaration of conbity
REACh法規(guī)
有毒有害物質(zhì)含量均在REACH規(guī)定的限量要求以下
環(huán)保符合性
提供支持
回收利用指南
提供支持
合同保修
階段
18 個(gè)月
PCMCIA 內(nèi)存擴(kuò)展卡可擴(kuò)展高性能 Quantum 處理器的 RAM 內(nèi)存容量。
根據(jù)型號，這些擴(kuò)展卡可適應(yīng)：
b 應(yīng)用程序的程序、符號和常量
b 應(yīng)用程序的附加數(shù)據(jù)
b 或以上兩者
上述所有卡均可插入 Quantum 140 CPU 65p p0/671 60 處理器中的 PCMCIA 插槽。
這些卡可提供三種不同的存儲(chǔ)類型：
b 應(yīng)用程序存儲(chǔ)：程序、符號和常量存儲(chǔ)在公共空間 512 Kb 到 4096 Kb：
TSX MFP PpppK/M 用于 Flash EPROM 內(nèi)存。
b 應(yīng)用程序和附加數(shù)據(jù)的存儲(chǔ)，包括：
v 應(yīng)用程序區(qū)從 192 Kb 到 7 Mb
v 數(shù)據(jù)存儲(chǔ)區(qū) 7 Mb 到 0 Kb，用于存儲(chǔ)附加數(shù)據(jù)。
這 2 種空間之間的界限可以配置?？膳渲玫目ㄓ?br />
v TSX MRP CpppK/M 用于 SRAM 內(nèi)存
v TSX MCP CpppK/M 用于 Flash EPRAM 和 SRAM 內(nèi)存。
b 附加數(shù)據(jù)的存儲(chǔ)，由 SRAM TSX MRP F004M/008M 內(nèi)存擴(kuò)展卡提供， 4 或 8 Mb。
這些內(nèi)存擴(kuò)展卡采用了 2 種技術(shù)：
b 電池供電 SRAM
尤其用于應(yīng)用程序設(shè)計(jì)和調(diào)試階段。這些卡可提供：
v 所有應(yīng)用程序傳遞和修改服務(wù)均可以在線模式實(shí)現(xiàn)
v 附加數(shù)據(jù)存儲(chǔ)
內(nèi)存由一個(gè)集成在 PCMCIA 內(nèi)存擴(kuò)展卡中的可拆卸電池提供保護(hù)。具備第二塊輔助電
池，以便更換主電池而不丟失數(shù)據(jù)。
b Flash EPROM
當(dāng)應(yīng)用程序調(diào)試完成時(shí)使用。用于：
v 克服電池壽命限制
v 執(zhí)行一次全局應(yīng)用程序傳遞
使用當(dāng)中，將不能對應(yīng)用程序進(jìn)行在線模式修改。
只有那些程序存儲(chǔ)在 SRAM 內(nèi)存中的擴(kuò)展卡 (TSX MRP CpppK/M) 允許以在線模式執(zhí)行
程序修改。
如果用戶的處理器配有一個(gè)內(nèi)存擴(kuò)展卡，并且想通過在線模式對程序進(jìn)行修改或添
加，那么他必須將應(yīng)用程序的結(jié)構(gòu)組織在幾個(gè)合理大小的區(qū)段內(nèi)。
Quantum 140 CPU 651 50、140 CPU 651 60，140 CPU 652 60 和 140 CPU 671 60 處理
器可兼容下列內(nèi)存擴(kuò)展卡。
內(nèi)存限制分兩種：
b 一種與處理器型號有關(guān)。
b 一種與所選的 PCMCIA 內(nèi)存擴(kuò)展卡有關(guān)。
以上兩個(gè)限制之中的最低值規(guī)定了用戶應(yīng)用程序可用的內(nèi)存容量。
訂貨號
PCMCIA 內(nèi)存擴(kuò)展卡
說明內(nèi)存大小訂貨號重量
應(yīng)用程序 數(shù)據(jù)文件 kg
可配置 SRAM 應(yīng)用程
序/ 文件內(nèi)存擴(kuò)展
192...768 Kb 576...0 Kb TSX MRP C768K –
192...1024 Kb 832...0 Kb TSX MRP C001M –
192...1792 Kb 1600...0 Kb TSX MRP C01M7 –
192...2048 Kb 1856...0 Kb TSX MRP C002M –
192...3072 Kb 2880...0 Kb TSX MRP C003M –
192...7168 Kb 6976...0 Kb TSX MRP C007M –
Flash EPROM 應(yīng)用程
序內(nèi)存擴(kuò)展
512 Kb – TSX MFP P512K –
1024 Kb – TSX MFP P001M –
2048 Kb – TSX MFP P002M –
4096 Kb – TSX MFP P004M –
可配置 Flash EPROM
和 SRAM
應(yīng)用程序/ 文件內(nèi)存
擴(kuò)展
512 Kb 512 Kb TSX MCP C512K –
2048 Kb 1024 Kb TSX MCP C002M –
SRAM 文件內(nèi)存擴(kuò)展
(1)
– 4096 Kb TSX MRP F004M –
– 8192 Kb TSX MRP F008M –
備件
說明使用類型訂貨號重量
kg
備用電池SRAM PCMCIA 內(nèi)存擴(kuò)
展卡
主TSX BAT M02 0.010
輔TSX BAT M03 –
操作PCMCIA 內(nèi)存擴(kuò)展卡– TSX P CAP 0.030
(1) 用于存儲(chǔ)制造配方和生產(chǎn)數(shù)據(jù)。容量取決于 PCMCIA 內(nèi)存擴(kuò)展卡型號。
應(yīng)用程序內(nèi)存從物理上分為分布在內(nèi)部 RAM 存儲(chǔ)器上的內(nèi)存區(qū)和分布在 1 或 2 個(gè)
PCMCIA 內(nèi)存擴(kuò)展卡上的內(nèi)存區(qū)( 僅限在 140 CPU 651 50/60，140 CPU 652 60 和 140
CPU 671 60 處理器上)：
1 應(yīng)用數(shù)據(jù)區(qū)總是位于內(nèi)部 RAM 中。該區(qū)按照用戶的習(xí)慣和選擇分成 2 類數(shù)據(jù)：
v 定位型數(shù)據(jù)對應(yīng)于通過地址定義的數(shù)據(jù)( 例如 %MW237)，可能會(huì)使用符號與之
關(guān)聯(lián)( 例如 Counting_rejects)
v 非定位型數(shù)據(jù)對應(yīng)于只通過符號定義的數(shù)據(jù)。由于地址自動(dòng)分配，因而此類尋
址消除了內(nèi)存“映射”管理限制。
v DFB 未定位型數(shù)據(jù)對應(yīng)于 DFB 用戶功能塊。該對象區(qū)的大小僅受限于集成 RAM
中的變量內(nèi)存。
2 應(yīng)用程序和符號區(qū)位于內(nèi)部 RAM 中或位于 PCMCIA 內(nèi)存擴(kuò)展卡中( 描述符、任務(wù)
執(zhí)行代碼和應(yīng)用程序符號數(shù)據(jù)庫)。
3 常量區(qū)位于內(nèi)部 RAM 中或位于 PCMCIA 內(nèi)存擴(kuò)展卡中( 常量字、初始值和配置)。
4 附加數(shù)據(jù)存儲(chǔ)區(qū)，用于分布式應(yīng)用程序存儲(chǔ)信息，如生產(chǎn)數(shù)據(jù)和制造配方( 僅限
140 CPU 651 50/60， 140 CPU 652 60 和 140 CPU 671 60 處理器)。
根據(jù)應(yīng)用程序內(nèi)存大小的要求，可采用兩種內(nèi)存結(jié)構(gòu)，取決于 Quantum 處理器(140
CPU 651 50/60，140 CPU 652 60 或 140 CPU 671 60 訂貨號) 配有 0、1 或 2 個(gè) PCMCIA 內(nèi)
存擴(kuò)展卡：
b 應(yīng)用程序位于內(nèi)部 RAM 中。應(yīng)用程序完全加載到處理器的采用電池供電的內(nèi)部
RAM (2) 內(nèi)，其容量取決于處理器訂貨號。
b 應(yīng)用程序位于 PCMCIA 內(nèi)存擴(kuò)展卡中。內(nèi)部 RAM 保留用于應(yīng)用數(shù)據(jù)。PCMCIA 內(nèi)存
擴(kuò)展卡中含有程序空間( 程序區(qū)、符號和常量)。某些類型的 PCMCIA 內(nèi)存擴(kuò)展卡還
可用于數(shù)據(jù)文件存儲(chǔ)區(qū)。
程序區(qū)是否要有符號區(qū)是可選的。在 PLC 上具有應(yīng)用程序符號數(shù)據(jù)庫意味著，當(dāng)將
其連接到一個(gè)不含任何應(yīng)用程序的編程終端時(shí)，調(diào)試或升級該 PLC 所需的一切元素
都可從該 PLC 內(nèi)部得到。
(1) 僅限 140 CPU 311 10/434 12U/534 14B 處理器。
(2) 內(nèi)部 RAM 存儲(chǔ)器由一塊鎳鎘電池供電。RAM 內(nèi)存卡由一塊鋰電池保護(hù)。
