![]() |
SIMATIC S7-200,CPU 226緊湊型單元,DC 電源,24 DI DC/16 DO DC,16/24 KB代碼/10 KB數(shù)據(jù),2個(gè)PPI/自由端口
|
![]() |
SIMATIC S7-200,CPU 226緊湊型單元,AC 電源,24 DI DC/16 DO 繼電器,16/24 KB代碼/10 KB數(shù)據(jù),2個(gè)PPI/自由端口
|
SIEMENS 上海贊國自動(dòng)化科技有限公司 |
|
聯(lián)系人:顏 順(銷售經(jīng)理) |
傳真:021-67633621 |
24小時(shí)業(yè)務(wù)咨詢熱線:021-31129601 |
|
手機(jī):18818259795 |
|
我司只銷售西門子原裝正品,享受西門子官方免費(fèi)一年保修,歡迎來電洽談! |
CPU 226 裝配有:
設(shè)備種類 |
||||
---|---|---|---|---|
種類 |
電源電壓 |
輸入電壓 |
輸出電壓 |
輸出電流 |
|
24 V DC |
24 V DC |
24 V DC |
0.75 A, 晶體管 |
|
85 … 264 V AC |
24 V DC |
24 V DC, |
2 A,繼電器 |
6ES7 216-2AD23-0XB0 |
6ES7 216-2BD23-0XB0 |
|
電源電壓 |
||
24 V DC |
√ |
|
允許范圍,下限 (DC) |
20.4 V |
|
允許范圍,上限 (DC) |
28.8 V |
|
120 V AC |
√ |
|
230 V AC |
√ |
|
電源頻率 |
||
|
63 Hz |
|
負(fù)載電壓 L+ |
||
|
24 V |
24 V |
|
20.4 V |
5 V |
|
28.8 V |
30 V |
負(fù)載電壓L1 |
||
|
100 V; 100 至 230 V AC |
|
|
5 V |
|
|
250 V |
|
|
47 Hz |
|
|
63 Hz |
|
輸入電流 |
||
突波電流,最大 |
28.8 V 時(shí) 10 A |
264 V 時(shí) 20 A |
從電源L+ 供電,最大 |
1 050 mA;150 至 1050 mA 輸出電流,擴(kuò)展模塊 (DC 5 V) 1000 mA |
|
從電源L1供電,最大 |
320 mA; 40 - 160 mA (240 V); 80 - 320 mA (120 V); 擴(kuò)展模塊輸出電流 (5 VDC) 1000 mA |
|
編碼器電源 |
||
24 V 編碼器電源 |
||
|
√;允許范圍:15.4 至 28.8 V |
√;允許范圍:20.4 至 28.8 V |
|
√; 400 mA 時(shí)電子式 |
√; 400 mA 時(shí)電子式 |
|
400 mA |
400 mA |
備用電池 |
||
電池運(yùn)行 |
||
|
100 小時(shí);(40 ℃ 時(shí),最短 70 小時(shí));帶有可選電池模塊時(shí),200 天(典型值) |
100 小時(shí);(40 ℃ 時(shí),最短 70 小時(shí));帶有可選電池模塊時(shí),200 天(典型值) |
存儲(chǔ)器 |
||
存儲(chǔ)模塊數(shù)量(選件) |
1,可插入存儲(chǔ)模塊,內(nèi)容存儲(chǔ)在內(nèi)置的EEPROM中,此外還可以存儲(chǔ)配方、數(shù)據(jù)記錄和其他文件。 |
1,可插入存儲(chǔ)模塊,內(nèi)容存儲(chǔ)在內(nèi)置的EEPROM中,此外還可以存儲(chǔ)配方、數(shù)據(jù)記錄和其他文件。 |
數(shù)據(jù)和程序存儲(chǔ)器 |
||
|
10 kbyte |
10 kbyte |
|
24 KB;16 KB 用于運(yùn)行時(shí)編輯 |
24 KB;16 KB 用于運(yùn)行時(shí)編輯 |
后備 |
||
|
√;程序:集成 EEPROM 上的整個(gè)程序免維護(hù),可通過 CPU 編程;數(shù)據(jù):集成 EEPROM 上從編程器/PC 加載的整個(gè) DB 1 免維護(hù),RAM 中 DB 1 的電流值,通過高性能電容器,非易失性內(nèi)存位、計(jì)時(shí)器、計(jì)數(shù)器等免維護(hù);可選電池,用于長期緩沖 |
√;程序:集成 EEPROM 上的整個(gè)程序免維護(hù),可通過 CPU 編程;數(shù)據(jù):集成 EEPROM 上從編程器/PC 加載的整個(gè) DB 1 免維護(hù),RAM 中 DB 1 的電流值,通過高性能電容器,非易失性內(nèi)存位、計(jì)時(shí)器、計(jì)數(shù)器等免維護(hù);可選電池,用于長期緩沖 |
CPU 處理時(shí)間 |
||
位指令,最大 |
0.22 µs |
0.22 µs |
計(jì)數(shù)器、定時(shí)器及其保持性 |
||
S7 計(jì)數(shù)器 |
||
|
256 |
256 |
|
||
|
√;通過高性能電容或電池 |
√;通過高性能電容或電池 |
|
1 |
1 |
|
256 |
256 |
|
||
|
0 |
0 |
|
32 767 |
32 767 |
S7 定時(shí)器 |
||
|
256 |
256 |
|
||
|
√;通過高性能電容或電池 |
√;通過高性能電容或電池 |
|
64 |
64 |
|
||
|
1 ms |
1 ms |
|
54 分鐘;4 個(gè)定時(shí)器:1 ms 至 30 s;16 個(gè)定時(shí)器:10 ms 至 5 分鐘;236 個(gè)定時(shí)器:100 ms 至 54 分鐘 |
54 分鐘;4 個(gè)定時(shí)器:1 ms 至 30 s;16 個(gè)定時(shí)器:10 ms 至 5 分鐘;236 個(gè)定時(shí)器:100 ms 至 54 分鐘 |
數(shù)據(jù)區(qū)及其保持性 |
||
標(biāo)志 |
||
|
32 字節(jié) |
32 字節(jié) |
|
√;M 0.0 至 M 31.7 |
√;M 0.0 至 M 31.7 |
|
0 至 255,通過高性能電容或電池,可調(diào) |
0 至 255,通過高性能電容或電池,可調(diào) |