UltraScale器件中的新增DDR4內(nèi)存接口可提供超過1Tb/s的存儲帶寬，RELIANCE E243能夠滿足視頻成像與處理、流量管理和高性能計(jì)算等重要應(yīng)用領(lǐng)域新一代前沿系統(tǒng)設(shè)計(jì)對海量數(shù)據(jù)流快速處理以及海量內(nèi)存的需求。從DDR3 升級為DDR4后，應(yīng)用的讀取時延減少了30%，而且在相同數(shù)據(jù)速率下大幅降低了功耗。更富吸引力的是，從每秒1866 Mb的DDR3升級到每秒2400 Mb的DDR4后，客戶不僅提升了30%的數(shù)據(jù)速率，同時還能削減20%的功耗。
RELIANCE E243這些DDR4內(nèi)存接口經(jīng)過嚴(yán)格系統(tǒng)條件下（例如變化的電壓和溫度、系統(tǒng)抖動）高難度數(shù)據(jù)模式的測試，可確保為實(shí)際系統(tǒng)部署預(yù)留工作裕量。賽靈思的SelectIO?接口符合JESD79-4 DDR4 SDRAM標(biāo)準(zhǔn)，有助于確保獲得最大時序裕量。為保證最佳信號完整性，I/O技術(shù)還包括傳輸預(yù)加重、接收均衡、低抖動時鐘和噪聲隔離設(shè)計(jì)技術(shù)。
全新的All Programmable MPSoC架構(gòu)可為處理器提供從32位到64位的擴(kuò)展能力，并可支持虛擬化，集成了用于實(shí)時控制與圖形/視頻處理、波形和包處理的軟硬件引擎、新一代互聯(lián)技術(shù)和存儲器、高級電源管理，以及可實(shí)現(xiàn)多級安全可靠性的增強(qiáng)型技術(shù)。通過整合異構(gòu)多重處理和業(yè)界最高速FinFET以及充分利用臺積公司的16nm FinFET工藝技術(shù)，UltraScale MPSoC架構(gòu)在系統(tǒng)性能和集成度方面取得了重大突破，同時降低了系統(tǒng)功耗。
采用Inb世界領(lǐng)先的封裝和裝配技術(shù)以及Altera前沿的可編程邏輯技術(shù)，雙方合作開發(fā)多管芯器件。在此次合作中，Inb使用14 nm三柵極工藝制造Altera的Stratix? 10 FPGA和SoC，進(jìn)一步加強(qiáng)了Altera與Inb的代工線關(guān)系。
Altera與Inb一起工作開發(fā)多管芯器件，在一個封裝中高效的集成了單片14 nm Stratix 10 FPGA和SoC與其他先進(jìn)組件，包括DRAM、SRAM、ASIC、處理器和模擬組件。使用高性能異構(gòu)多管芯互聯(lián)技術(shù)來實(shí)現(xiàn)集成。Altera的異構(gòu)多管芯器件具有傳統(tǒng)2.5和3D方法的優(yōu)勢，而且成本更低。器件將解決性能、存儲器帶寬和散熱等影響通信、高性能計(jì)算、廣播和軍事領(lǐng)域高端應(yīng)用所面臨的難題。
Inb的14 nm三柵極工藝密度優(yōu)勢結(jié)合Altera的專利FPGA冗余技術(shù)，RELIANCE E243支持Altera交付業(yè)界密度最高的單片F(xiàn)PGA管芯，進(jìn)一步提高了一個管芯中系統(tǒng)組件的集成度。Altera利用開發(fā)最大的單片F(xiàn)PGA管芯的領(lǐng)先優(yōu)勢以及Inb封裝技術(shù)，在一個封裝系統(tǒng)解決方案中集成了更多的功能。Inb同時針對制造工藝進(jìn)行了優(yōu)化，簡化了制造過程，提供全包代工線服務(wù)，包括異構(gòu)多管芯器件的制造、裝配和測試。Inb和Altera目前正在開發(fā)測試平臺，目的是實(shí)現(xiàn)流暢的制造和集成流程。
Altera?的可編程解決方案幫助電子系統(tǒng)設(shè)計(jì)人員快速高效地實(shí)現(xiàn)創(chuàng)新，突出產(chǎn)品優(yōu)勢，贏得市場競爭。Altera提供FPGA、SoC、CPLD和ASIC，以及電源管理等互補(bǔ)技術(shù)
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