TDM4.1-020-300-W0/S102在壓電陶瓷材料中的應(yīng)用 壓電陶瓷材料制作的壓電元器件已獲得廣泛的應(yīng)用,如壓電馬達、微位移器、醫(yī)療診斷、通訊、傳感器等。應(yīng)用較普遍的壓電陶瓷材料是鋯鈦酸鉛(PZT)壓電陶瓷及其三元系壓電陶瓷、鈦酸鉛壓電陶瓷。稀土氧化物L(fēng)a2O3、Nd2O3是典型的施主摻雜物[6、7],它們的摻雜使得PZT或多元系壓電陶瓷的介電常數(shù)升高、機電耦合系數(shù)增大,頻率常數(shù)降低、機械品質(zhì)因數(shù)減少、老化率減小。此外,利用稀土元素和其它離子組成復(fù)合鈣鈦礦氧化物與PZT形成三元系壓電陶瓷,典型的有(Na1/2 La1/2)TiO3-PZT、(Na1/2 Ce1/2)TiO3-PZT、Pb(Me1/2Nb1/2)O3(Me=In、Y和稀土元素)-PZT、(Na1/2Nd1/2)TiO3-PZT[7、8]。 由于鈦酸鉛(PT)陶瓷介電常數(shù)小、晶體結(jié)構(gòu)的TDM4.1-020-300-W0/S102各向異性大(Kt/Kp(厚度方向機電耦合系數(shù)與徑向機電耦合系數(shù)之比))、居里溫度高等,它是一種很引人注目而且很有用的材料,它廣泛用于制作高溫、高頻下使用的換能器[7],用PbTiO3陶瓷可以制作零溫度系數(shù)的聲表面波材料[8]。 實驗表明[9],提高Kt/Kp最有效的改性物是Sm3+t Ca2+,典型的優(yōu)良配方為:(Pb1-1.5xRex)(Ti1-yMny)O3(其中稀土元素Re為La、Pr、Sm或Gd)。同時文獻[7]還介紹了X=0.08y=0.02時Re的種類對Kt/Kp的影響,從中可知,總的趨勢是Kt/Kp,隨著離子半徑的減小而增大,但Sm可反常地提高Kt/Kp。有關(guān)資料研究了用Sm或Gd+Nd(平均半徑與Sm相同)取代PbTiO3中的Pb置換量在6-14mol范圍的改性PbTiO3陶瓷的機電性能,10mol%的Sm改性的PbTiO3陶瓷的機電耦合系數(shù)Kt/Kp值最大,即使Gd+Nd添加劑與Sm半徑非常接近,但Kt/Kp對不象摻雜Sm變化那么大。 2.4在透明陶瓷中的應(yīng)用 接鑭的鋯鈦酸鉛陶瓷(PLZT)是一種透明鐵電電光陶瓷,日本已把PLZT透明鐵電陶瓷薄膜列入40項重大研究課題之一,預(yù)測21世紀(jì)后將作為電光器件進入商業(yè)性應(yīng)用[10],它可以廣泛應(yīng)用于閃光護光鏡、濾色器、顯示器、圖像貯存、薄膜光學(xué)開頭等[11]。把含有10mol%ThO2的Y2O3在氫氣中于2100℃燒結(jié)6hr,制成了透光性很好的Y2O3透明陶瓷,它在紅外裝置、高溫實驗用裝置及電子元件等方面均有多種用途[12],如用于紅外線制導(dǎo)導(dǎo)彈的窗口和整流罩、人線罩、微波基板、紅外透鏡、紅外發(fā)生器管及其它高TDM4.1-020-300-W0/S102溫窗口等。另外加Nd的Y2O3系透明陶瓷還可作為激光元件。 2.5在微波介質(zhì)材料中的應(yīng)用 微波介質(zhì)陶瓷作為諧振器、濾波器、振蕩器、移相器等微波元器件的關(guān)鍵材料,在移動通訊、衛(wèi)星通訊及GPS(全球衛(wèi)星定位系統(tǒng))中有著十分重要的應(yīng)用[13]。據(jù)報道[14],在Ba(Zn1/2Nb2/3O3(BZN))陶瓷中加入La2O3后Q值達到18000(在5GHZ),實驗表明,La3+的加入使瓷體體積密度增加、晶粒尺寸明顯增大,TDM4.1-020-300-W0/S102因而導(dǎo)致Q值增加,當(dāng)La2O3加入大量大于0.01mol%時,體積密度和晶粒尺寸不再增加,而Q值下降,用電子探針檢查分析,發(fā)現(xiàn)La3+聚集在晶界上形成異相。卞建江等[15]研究了Ce4+摻雜改性(Pb0.45Ca0.25)(Fe1/2Nb1/2)O3(PCFN)陶瓷,得到了綜合微波介電性能優(yōu)良的微波陶瓷材料。
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