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917725-001 AMAT物美價(jià)廉速來(lái)
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    917725-001 AMAT物美價(jià)廉速來(lái)

    采用此控制策略的半橋也稱為雙有源半橋［2，3］。
    　　此控制策略與傳統(tǒng)的移相全橋拓?fù)漕愃?，區(qū)別在于移相的兩個(gè)橋臂分布在變壓器的原副邊。此拓?fù)渲?，變壓器的漏感是中間儲(chǔ)能元件。原副邊半橋各產(chǎn)生一個(gè)占空比為50%的方波，通過(guò)調(diào)節(jié)輸出兩個(gè)橋之間的移相來(lái)控制變壓器漏感的能從而調(diào)節(jié)輸出電壓。此拓?fù)淇蓪?shí)現(xiàn)全負(fù)載范圍的軟開(kāi)關(guān)，同時(shí)輸出又能獲得同步整流。其缺點(diǎn)是：循環(huán)能非常大，輸出電流紋波大。為了改善輸出電流紋波大的缺點(diǎn)，移相ZVS半橋電路被提出［4］。13 脈沖移位PWM 控制
    　　文獻(xiàn)［5］提出脈沖移位PWM 控制策略。上管下降沿與下管前沿互補(bǔ)，脈寬相同?？蓪?shí)現(xiàn)下管的ZVS開(kāi)通，上管仍然是硬開(kāi)關(guān)。其優(yōu)點(diǎn)是：可減少部分開(kāi)關(guān)損耗；變壓器不存在直流偏磁；整流管電壓應(yīng)力對(duì)稱；寬范圍輸入上優(yōu)于不對(duì)稱半橋。增加輔助電路可實(shí)現(xiàn)上管的ZVS［6］。
    　　14 不對(duì)稱脈沖PWM 控制
    　　文獻(xiàn)［7］提出不對(duì)稱脈沖PWM 控制，其下管下降沿與上管的前沿互補(bǔ)，上管可實(shí)現(xiàn)ZVS只要設(shè)計(jì)的占空比較小，無(wú)需其它措施即使工作在較高頻率下開(kāi)關(guān)損耗也很小。變壓器直流偏磁，除占空比端點(diǎn)外，偏磁電流小于不對(duì)稱半橋。寬范圍適用性優(yōu)于傳統(tǒng)的不對(duì)稱半橋。低壓大電流的應(yīng)用場(chǎng)合有一定的優(yōu)勢(shì)。
    　　2 緩沖型軟開(kāi)關(guān)對(duì)稱PWM 控制策略
    　　對(duì)稱控制半橋變換器磁心雙向磁化，利用率高，且不存在偏磁?？刂品奖悖刂铺匦跃€性。功率管上電壓應(yīng)力低，適用于高輸入電壓場(chǎng)合，但此種半橋變換器較難實(shí)現(xiàn)軟開(kāi)關(guān)，變換器效率難以得到提高。
    　　21 對(duì)稱PWM 控制ZVS半橋變換器
    　　文獻(xiàn)［8］提出一種對(duì)稱PWM 控制ZVS半橋變換器（見(jiàn)圖2），其與傳統(tǒng)半橋電路相比，對(duì)稱PWM 控制的ZVS直流變換器增加了一個(gè)由輔助開(kāi)關(guān)管和一個(gè)二管組成的支路。其主開(kāi)關(guān)管不僅工作在對(duì)稱狀態(tài)，而且下管和輔助開(kāi)關(guān)管可在全負(fù)載范圍內(nèi)實(shí)現(xiàn)ZVS，上管也能在寬負(fù)載范圍內(nèi)實(shí)現(xiàn)ZVS，引起的附加損耗很小。該變換器器件所受應(yīng)力小，可靠性高，其更適合采用MOSFET做開(kāi)關(guān)管，較少應(yīng)用于高電壓、大功率場(chǎng)合。該變換器需要利用諧振電感的儲(chǔ)能來(lái)實(shí)現(xiàn)開(kāi)關(guān)管的ZVS，增大諧振電感能擴(kuò)大上管ZVS范圍，但會(huì)使占空比丟失嚴(yán)重，設(shè)計(jì)諧振電感時(shí)須權(quán)衡考慮實(shí)現(xiàn)上管ZVS和減小占空比丟失［9］。致力于提供幫助功率管理、安全、可靠與高性能半導(dǎo)體技術(shù)產(chǎn)品的領(lǐng)先供應(yīng)商美高森美公司（Microsemi Corporation，紐約納斯達(dá)克交易所代號(hào)：MSCC） 宣布提供新一代工業(yè)溫度碳化硅（silicon carbide，SiC）標(biāo)準(zhǔn)功率模塊，它們是用于要求高性能和高可靠性的大功率開(kāi)關(guān)電源、馬達(dá)驅(qū)動(dòng)器、不間斷電源、太陽(yáng)能逆變器、石油勘探和其它大功率、高電壓工業(yè)應(yīng)用的理想選擇。該功率模塊系列還提供了更寬的溫度范圍，以期滿足下一代功率轉(zhuǎn)換系統(tǒng)對(duì)更高的功率密度、工作頻率和效率的要求。
    　　與硅材料相比，SiC技術(shù)提供了更高的擊穿場(chǎng)強(qiáng)度和更好的熱傳導(dǎo)率，從而實(shí)現(xiàn)了參數(shù)性能特性改進(jìn)，包括零反向恢復(fù)、不受溫度影響的特性、更高的工作電壓和更高的工作溫度，以實(shí)現(xiàn)全新的性能、效率和可靠性水平。
    　　美高森美功率模塊產(chǎn)品集團(tuán)經(jīng)理Philippe Dupin稱：“我們應(yīng)用在功率半導(dǎo)體集成和封裝領(lǐng)域的廣泛的專業(yè)技術(shù)，提供下一代碳化硅功率模塊系列，這些器件具有出色的性能、可靠性和綜合質(zhì)水平。我們的新模塊還使得設(shè)計(jì)人員能夠縮減系統(tǒng)尺寸和重，同時(shí)降低體系統(tǒng)成本?！?/span>
    　　關(guān)于新的SiC模塊
    　　美高森美新的工業(yè)溫度SiC功率模塊具有多種電路拓?fù)洌⑶壹稍谳^小的封裝內(nèi)。新模塊產(chǎn)品系列中的大多數(shù)產(chǎn)品使用氮化鋁（aluminum nitride，AIN）襯底，來(lái)實(shí)現(xiàn)與散熱器的隔離，從而改善了至散熱系統(tǒng)的熱傳遞。
    　　其它特性包括高速開(kāi)關(guān)、低開(kāi)關(guān)損耗、低輸入電容、低驅(qū)動(dòng)要求、小尺寸和小寄生電感，能夠?qū)崿F(xiàn)高頻率、高性能、高密度和節(jié)能的電力系統(tǒng)。
    　　新工業(yè)溫度模塊系列包括以下參數(shù)和器件：
    　　? 1200V升壓斬波電路（boost chopper），額定電流為50至100A （器件編號(hào)：APT100MC120JCU2和APT50MC120JCU2）
    　　? 1200V相臂 （phase leg） 結(jié)構(gòu)，額定電流為40至200A （器件編號(hào)：APTMC120AM08CD3AG、APTMC120AM20CT1AG和 APTMC120AM55CT1AG）
    　　? 600V中性點(diǎn)箝位結(jié)構(gòu)，專用于太陽(yáng)能或UPS應(yīng)用的三逆變器，額定電流為20至160A （器件編號(hào)：APTMC60TLM14CAG、APTMC60TLM20CT3AG、APTMC60TLM55CT3AG和APTMC60TL11CT3AG）
    　　? 中性點(diǎn)箝位結(jié)構(gòu)，600V1200V混合電壓，額定電流為20至50A （器件編號(hào)：APTMC120HRM40CT3G和APTMC120HR11CT3G）
    　　美高森美的SiC產(chǎn)品組合包括分立和模塊封裝的肖特基二管，以及標(biāo)準(zhǔn)和定制配置的采用SiC肖特基二管和IGBT或MOSFET晶體管組合的功率模塊。
    　　供貨
    　　美高森美以短交貨周期提供工業(yè)溫度SiC標(biāo)準(zhǔn)功率模塊樣品。 要了解更多的信息，請(qǐng)聯(lián)絡(luò)當(dāng)?shù)孛栏呱拦句N售代表。中國(guó)低壓斷路器行業(yè)是一個(gè)市場(chǎng)發(fā)展相對(duì)成熟的行業(yè)，具有競(jìng)爭(zhēng)充分、生產(chǎn)企業(yè)眾多等特點(diǎn)，該行業(yè)目前處于跨國(guó)公司與本土企業(yè)共存的競(jìng)爭(zhēng)格局。低壓斷路器行業(yè)前10家企業(yè)所占整體市場(chǎng)份額在55~60%之間。
    　　研究發(fā)現(xiàn)這個(gè)市場(chǎng)的參與者可以按照市場(chǎng)規(guī)模分為以下3個(gè)集團(tuán)：
    　　（1）處于一集團(tuán)的公司是：Schneider和ABB，這兩家廠商2010年銷售額共計(jì)97億，占據(jù)體市場(chǎng)近3成的份額，是中國(guó)低壓斷路器領(lǐng)域的品牌大鱷，地位難以撼動(dòng)。
    　?。?）處于二集團(tuán)的公司是以正泰、常熟開(kāi)關(guān)，西門(mén)子等為代表的“億元廠商”。
    　?。?）以上海益、常州凱隆代表的“億元以下的小型廠商”位于三大陣營(yíng)。
    　　展望未來(lái)：
    　　認(rèn)為低壓斷路器市場(chǎng)經(jīng)歷了2011年良好的增長(zhǎng)，隨著智能電網(wǎng)的建設(shè)實(shí)施以及新能源行業(yè)的發(fā)展，未來(lái)幾年將保持穩(wěn)定的增長(zhǎng)。主要表現(xiàn)在以下幾個(gè)方面：
    　?。?）智能電網(wǎng)建設(shè)大規(guī)模鋪開(kāi)帶來(lái)的新增需求
    　　智能電網(wǎng)的建設(shè)在2020年之前分三個(gè)階段實(shí)施，一個(gè)階段為2009-2011年，主要是研究和試點(diǎn)；二個(gè)階段是2011-2015年，智能電網(wǎng)將大規(guī)模實(shí)施；三階段是2016-2020年，實(shí)現(xiàn)整體的完善和提升。
    　　目前，國(guó)家電網(wǎng)公司正在加緊制定的中國(guó)智能電網(wǎng)技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)近200項(xiàng)。規(guī)劃和標(biāo)準(zhǔn)的推出，使智能電網(wǎng)的建設(shè)進(jìn)入行程，這些將給中、高端低壓斷路器帶來(lái)巨大的需求。
    　?。?）制造業(yè)的投資拉動(dòng)未來(lái)增長(zhǎng)
    　　制造業(yè)是低壓電器行業(yè)的重點(diǎn)應(yīng)用領(lǐng)域，也是節(jié)能減排十大重點(diǎn)工程領(lǐng)域之一。中國(guó)制造業(yè)由于節(jié)能指標(biāo)的壓力，其對(duì)節(jié)能型控制及智能型配電電器產(chǎn)品將保持旺盛需求。
    　　（3）風(fēng)能、太陽(yáng)能等新能源對(duì)中、高端低壓斷路器帶來(lái)巨大的需求
    　　哥本哈根會(huì)議后新能源投資成為世人矚目的焦點(diǎn)。新能源、低碳經(jīng)濟(jì)成為電氣設(shè)備行業(yè)的主要方向。新能源的大力開(kāi)發(fā)將對(duì)高效穩(wěn)定的中、高端低壓電器產(chǎn)品構(gòu)成較大需求。3-5年內(nèi)對(duì)低壓電器元件的需求預(yù)計(jì)會(huì)大幅增加。風(fēng)力發(fā)電和光伏發(fā)電的逆變控制系統(tǒng)和并網(wǎng)技術(shù)等一批核心、關(guān)鍵技術(shù)有待突破，這也是低壓電器行業(yè)今后拓展的一個(gè)方向。
     1 引言
    　　80年代問(wèn)世的絕緣柵雙性晶體管igbt是一種新型的電力電子器件，它綜合了gtr和mosfet的優(yōu)點(diǎn)，控制方便、開(kāi)關(guān)速度快、工作頻率高、安全工作區(qū)大。隨著電壓、電流等的不斷提高，igbt成為了大功率開(kāi)關(guān)電源、變頻調(diào)速和有源濾波器等裝置的理想功率開(kāi)關(guān)器件，在電力電子裝置中得到非常廣泛的應(yīng)用。
    　　隨著現(xiàn)代電力電子技術(shù)的高頻大功率化的發(fā)展，開(kāi)關(guān)器件在應(yīng)用中潛在的問(wèn)題越來(lái)越凸出，開(kāi)關(guān)過(guò)程引起的電壓、電流過(guò)沖，影響到了逆變器的工作效率和工作可靠性。為解決以上問(wèn)題，過(guò)電流保護(hù)、散熱及減少線路電感等措施被積采用，緩沖電路和軟開(kāi)關(guān)技術(shù)也得到了廣泛的研究，取得了迅速的進(jìn)展。本文就針對(duì)這方面進(jìn)行了綜述。
    2 igbt的應(yīng)用領(lǐng)域
    　　21 在變頻調(diào)速器中的應(yīng)用［3］
    　　spwm變頻調(diào)速系統(tǒng)的原理框圖如圖1所示。主回路為以igbt為開(kāi)關(guān)元件的電壓源型spwm逆變器的標(biāo)準(zhǔn)拓?fù)潆娐?，電容由一個(gè)整流電路進(jìn)行充電，控制回路產(chǎn)生的spwm信號(hào)經(jīng)驅(qū)動(dòng)電路對(duì)逆變器的輸出波形進(jìn)行控制;變頻器向異步電動(dòng)機(jī)輸出相應(yīng)頻率、幅值和相序的三相交流電壓，使之按一定的轉(zhuǎn)速和旋轉(zhuǎn)方向運(yùn)轉(zhuǎn)。

    　　22 在開(kāi)關(guān)電源中的應(yīng)用［5］
    　　圖2為典型的ups系統(tǒng)框圖。它的基本結(jié)構(gòu)是一套將交流電變?yōu)橹绷麟姷恼髌骱统潆娖饕约鞍阎绷麟娫僮優(yōu)榻涣麟姷哪孀兤?。蓄電池在交流電正常供電時(shí)貯存能且維持正常的充電電壓，處于“浮充”狀態(tài)。一旦供電超出正常的范圍或中斷時(shí)，蓄電池立即對(duì)逆變器供電，以保證ups電源輸出交流電壓。

    　　ups逆變電源中的主要控制對(duì)象是逆變器，所使用的控制方法中用得為廣泛的是正弦脈寬調(diào)制（spwm）法。
    　　23 在有源濾波器中的應(yīng)用［6］

    　　并聯(lián)型有源濾波系統(tǒng)的原理圖如圖3所示。主電路是以igbt為開(kāi)關(guān)元件的逆變器，它向系統(tǒng)注入反向的諧波值，理論上可以完全濾除系統(tǒng)中存在的諧波。與變頻調(diào)速器不同的是，有源濾波器pwm控制信號(hào)的調(diào)制波是需要補(bǔ)償?shù)母鞔沃C波的合成波形，為了能確的反映出調(diào)制波的各次諧波成分，必須大大提高載波的頻率。這對(duì)開(kāi)關(guān)器件的開(kāi)關(guān)頻率也提出了更高的要求。3 igbt應(yīng)用中的常見(jiàn)問(wèn)題分析
    　　顯然，igbt是作為逆變器的開(kāi)關(guān)元件應(yīng)用到各個(gè)系統(tǒng)中的，常用的控制方法是pwm法。理論上和事實(shí)上都已經(jīng)證明，如果把pwm逆變器的開(kāi)關(guān)頻率提高到20khz以上，逆變器的噪聲會(huì)更小，體積會(huì)更小，重會(huì)更輕，輸出電壓波形會(huì)更加正弦化，可見(jiàn)，高頻化是逆變技術(shù)發(fā)展方向［1］。但是通常的pwm逆變器中，開(kāi)關(guān)器件在高電壓下導(dǎo)通，在大電流下關(guān)斷，處于強(qiáng)迫開(kāi)關(guān)過(guò)程，在高開(kāi)關(guān)頻率下運(yùn)行時(shí)將受到如下一系列因素的限制：
    　?。?） 產(chǎn)生擎住效應(yīng)或動(dòng)態(tài)擎住效應(yīng)

    　　igbt為四層結(jié)構(gòu)，使體內(nèi)存在一個(gè)寄生晶閘管，等效電路如圖4所示。在npn管的基與發(fā)射之間存在一個(gè)體區(qū)短路電rs，p型體區(qū)的橫向空穴流會(huì)產(chǎn)生一定的壓降，對(duì)j3來(lái)說(shuō)相當(dāng)于一個(gè)正偏置電壓。在規(guī)定的范圍內(nèi)，這個(gè)正偏置電壓不大，npn管不會(huì)導(dǎo)通。當(dāng)ic大于一定程度時(shí)，該正偏置電壓足以使npn管開(kāi)通，進(jìn)而使npn和pnp管處于飽和狀態(tài)，于是寄生晶閘管開(kāi)通，柵失去控制作用，即擎住效應(yīng)，它使ic增大，造成過(guò)高的功耗，甚至導(dǎo)致器件損壞。溫度升高會(huì)使得igbt發(fā)生擎住的icm嚴(yán)重下降［2］。
    　　在igbt關(guān)斷的動(dòng)態(tài)過(guò)程中，如果dvcedt越高，則在j2結(jié)中引起的位移電流cj2dvcedt越大，當(dāng)該電流流過(guò)體區(qū)短路電阻rs時(shí)，可產(chǎn)生足以使npn晶體管開(kāi)通的正向偏置電壓，滿足寄生晶閘管開(kāi)通擎住的條件，形成動(dòng)態(tài)擎住效應(yīng)。溫度升高會(huì)加重igbt發(fā)生動(dòng)態(tài)擎住效應(yīng)的危險(xiǎn)。

    　　（2） 過(guò)高的didt會(huì)通過(guò)igbt和緩沖電路之間的線路電感引起開(kāi)關(guān)時(shí)的電壓過(guò)沖


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    HP 5B40 1  
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    ICS TRIPLEX (Rockwell) T8403 
    ICS TRIPLEX (Rockwell) T8151B 
    ICS TRIPLEX (Rockwell) T8310 
    Rockwell / ICS Triplex T8461 
    ICS TRIPLEX (Rockwell) T8431 
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    A-B 1756-L63/A 
    A-B 1747-KE/C 1 
    Homatic  PE1937/23B U  1 
    KUKA KPS600/20-ESC 1 
    MOTION  MCS  SA1000 SA-1000-E   2 
    A-B 1746-BAS/C 2 
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    Kuka  1FK6081-6AF71-1ZZ9-Z  1  
    Yokogawa  PW301  2個(gè)
    ABB 3HAC17346-1/01 1
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    SCHUMACHER  MD1A-152 P/N訂貨號(hào)1484-0152A 1
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