4006L1099AGG004 隨著LSI制造工藝的不斷進(jìn)步，進(jìn)一步的小型化使晶體管特性發(fā)生了更大的變化，尤其是柵極限電壓（Vth）＊2，它可能影響SRAM的工作。Vth的變化有兩種形式。全面的Vth變化會(huì)出現(xiàn)在逐芯片或逐晶圓的情況下，晶體管形狀會(huì)隨柵極長度和柵極寬度不同等出現(xiàn)細(xì)微的差別。因此，它會(huì)在芯片中顯示出同方向的偏差。以前全面Vth的變化是SRAM設(shè)計(jì)人員不得不克服主要挑戰(zhàn)。
相比之下，本機(jī)Vth變化是由半導(dǎo)體中的雜質(zhì)狀態(tài)的波動(dòng)引起的，甚至在同樣形狀的相鄰晶體管中也會(huì)出現(xiàn)。因此，它是隨機(jī)發(fā)生的且沒有方向性。隨著晶體管小型化的進(jìn)展，本機(jī)Vth變化的問題首先出現(xiàn)在90nm工藝中。這是采用45nm工藝的嵌入式SRAM應(yīng)用所必須面對(duì)的一個(gè)主要挑戰(zhàn)。
半導(dǎo)體行業(yè)一直在積極推進(jìn)實(shí)現(xiàn)穩(wěn)定SRAM工作的技術(shù)進(jìn)步。不過，影響45nm工藝的Vth變化問題需要技術(shù)上的進(jìn)一步發(fā)展。瑞薩科技與松下共同開發(fā)了兩種元件，采用了6晶體管型SRAM存儲(chǔ)單元解決方案。一個(gè)是可對(duì)Vth變化進(jìn)行自動(dòng)調(diào)整的讀輔助電路。另一個(gè)是采用分層結(jié)構(gòu)電源布線的寫輔助電路。
新型讀輔助電路的補(bǔ)償功能采用了一種被動(dòng)元件電阻功能，類似于存儲(chǔ)單元的布局功能。由于存儲(chǔ)單元變化和阻值的波動(dòng)被聯(lián)系在一起，從而減少了Vth變化的影響。這種補(bǔ)償功能可以自動(dòng)地調(diào)整與溫度和工藝變化有關(guān)的電壓。因此，即使在溫度增加和工藝變化條件下存儲(chǔ)單元電氣特性的對(duì)稱性降低的情況下，也可以保證各種工作條件下存儲(chǔ)單元讀操作的穩(wěn)定性。
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MRL 4020914637 HEATING CHAMBER 200MM, VTR7000, 908066-0
AMAT 0200-35671 CYLINDER, RTP SHORT SUPPORT
APPLIED MATERIALS (AMAT) RETICLE HOLDER ASSY 0010-A5880
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SVG 99-80071-49 PCB CPU HPO OLD TYPE P/N 80071E
