HONEYWELL 51404126-250因此，它是隨機發(fā)生的且沒有方向性。隨著晶體管小型化的進展，本機Vth變化的問題首先出現(xiàn)在90nm工藝中。這是采用45nm工藝的嵌入式SRAM應(yīng)用所必須面對的一個主要挑戰(zhàn)。
HONEYWELL 51404126-250 半導(dǎo)體行業(yè)一直在積極推進實現(xiàn)穩(wěn)定SRAM工作的技術(shù)進步。不過，影響45nm工藝的Vth變化問題需要技術(shù)上的進一步發(fā)展。瑞薩科技與松下共同開發(fā)了兩種元件，采用了6晶體管型SRAM存儲單元解決方案。一個是可對Vth變化進行自動調(diào)整的讀輔助電路。另一個是采用分層結(jié)構(gòu)電源布線的寫輔助電路。
新型讀輔助電路的補償功能采用了一種被動元件電阻功能，類似于存儲單元的布局功能。由于存儲單元變化和阻值的波動被聯(lián)系在一起，從而減少了Vth變化的影響。這種補償功能可以自動地調(diào)整與溫度和工藝變化有關(guān)的電壓。因此，即使在溫度增加和工藝變化條件下存儲單元電氣特性的對稱性降低的情況下，也可以保證各種工作條件下存儲單元讀操作的穩(wěn)定性。
新型寫輔助電路在存儲單元的柱式單元電源線中增加了更精細的電源線（劃分為8條），在某種意義上寫操作所需的隔離只在必要的地方執(zhí)行。而且，它可實現(xiàn)分層結(jié)構(gòu)的電源布線。這將減
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