HONEYWELL 51404125-250因此，它是隨機(jī)發(fā)生的且沒(méi)有方向性。隨著晶體管小型化的進(jìn)展，本機(jī)Vth變化的問(wèn)題首先出現(xiàn)在90nm工藝中。這是采用45nm工藝的嵌入式SRAM應(yīng)用所必須面對(duì)的一個(gè)主要挑戰(zhàn)。
HONEYWELL 51404125-250 半導(dǎo)體行業(yè)一直在積極推進(jìn)實(shí)現(xiàn)穩(wěn)定SRAM工作的技術(shù)進(jìn)步。不過(guò)，影響45nm工藝的Vth變化問(wèn)題需要技術(shù)上的進(jìn)一步發(fā)展。瑞薩科技與松下共同開(kāi)發(fā)了兩種元件，采用了6晶體管型SRAM存儲(chǔ)單元解決方案。一個(gè)是可對(duì)Vth變化進(jìn)行自動(dòng)調(diào)整的讀輔助電路。另一個(gè)是采用分層結(jié)構(gòu)電源布線(xiàn)的寫(xiě)輔助電路。
新型讀輔助電路的補(bǔ)償功能采用了一種被動(dòng)元件電阻功能，類(lèi)似于存儲(chǔ)單元的布局功能。由于存儲(chǔ)單元變化和阻值的波動(dòng)被聯(lián)系在一起，從而減少了Vth變化的影響。這種補(bǔ)償功能可以自動(dòng)地調(diào)整與溫度和工藝變化有關(guān)的電壓。因此，即使在溫度增加和工藝變化條件下存儲(chǔ)單元電氣特性的對(duì)稱(chēng)性降低的情況下，也可以保證各種工作條件下存儲(chǔ)單元讀操作的穩(wěn)定性。
新型寫(xiě)輔助電路在存儲(chǔ)單元的柱式單元電源線(xiàn)中增加了更精細(xì)的電源線(xiàn)（劃分為8條），在某種意義上寫(xiě)操作所需的隔離只在必要的地方執(zhí)行。而且，它可實(shí)現(xiàn)分層結(jié)構(gòu)的電源布線(xiàn)。這將減
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