· 無限的可擦寫次數(shù)。無可匹敵的讀取/寫入速度意味著FRAM MCU比傳統(tǒng)非易失性存儲器解決方案的擦寫循環(huán)次數(shù)多100億次以上 — 擦寫周期超過了產(chǎn)品生命周期本身。
· 靈活性。FRAM具有獨(dú)特能力,使開發(fā)人員擺脫代碼和數(shù)據(jù)存儲器之間的傳統(tǒng)界限束縛。用戶無需再受限于業(yè)界標(biāo)準(zhǔn)閃存與RAM的比率或為增加的RAM需求支付額外費(fèi)用。
· 易用性。FRAM可簡化代碼開發(fā)。由于FRAM無需預(yù)先擦除段,并可基于比特級被存取,使恒定的即時數(shù)據(jù)記錄成為可能。無線固件更新復(fù)雜程度降低,速度加快且能耗減少。
TI超低功耗FRAM MCU產(chǎn)品組合的特性與優(yōu)勢
· FRAM是唯一的非易失性嵌入式存儲器,可在電流低于800μA的情況下以8Mbps的速率被寫入 — 比閃存快100倍以上。
· 借助引腳對引腳兼容性和可擴(kuò)展的產(chǎn)品組合(由TI超低功耗MSP430? MCU FRAM產(chǎn)品平臺內(nèi)32KB至128KB的器件組成),使開發(fā)工作變得更輕松。
· 借助MSP430 FRAM和閃存組合之間的代碼和外設(shè)兼容性,利用MSP430Ware?來簡化遷移。
· 可取代EEPROM,旨在設(shè)計出寫入速度更快、功耗更低且內(nèi)存可靠性更高的安全產(chǎn)品。
· 256位的AES加速器使TI的FRAM MCU能確保數(shù)據(jù)傳輸。
· 適合開發(fā)人員使用的豐富資源包括詳細(xì)的遷移指南和應(yīng)用手冊,以簡化從現(xiàn)有硅芯片到MSP430FR59x/69x MCU的遷移。IC領(lǐng)導(dǎo)廠商Silicon Labs(芯科實驗室有限公司, NASDAQ:SLAB)今天宣布針對需要高達(dá)1kV功能性隔離的成本敏感型消費(fèi)類電子應(yīng)用,推出一系列可提供最高通道數(shù)量、性能、可靠性和數(shù)據(jù)傳輸率的數(shù)字隔離器產(chǎn)品?;赟ilicon Labs專利的CMOS數(shù)字隔離技術(shù),新型Si80xx系列產(chǎn)品成為光電耦合器的最佳替代產(chǎn)品,適用于洗衣機(jī)、烘干機(jī)、食品攪拌機(jī)、空氣清新器和其他家用電器,也包括需要功能性隔離的測試和測量設(shè)備。ABB DSQC249A 3HAA3563-AGA AMAT 0010-01676 FANUC A05B-2301-C335 FANUC A06B-6079-H209 FANUC A06B-0825-B400 SIEMENS 6SN1112-1AB00-0CA0 AB 1394-SJT05-A MITSUBISHI BN624A236H06 SIEMENS 6SL3130-7TE21-6AA1 Micro Motion CMF050H521PRAAEZZZ Heidenhain RON 350-2048 ENI OEM-6A-02 MITSUBISHI MDS-A-V2-2020 AB 2711P-T6C20A9 Yaskawa UAASKC-06CHSP2 HEIDENHAIN ROD 431.025-1024 HEIDENHAIN ROD 320.005 -2500 AB 2711-B6C1 FANUC A06B-6058-H331 AB 2711P-T6C20A9 ABB YT212001-AP ENI OEM-6A-11491-51 AB 2711P-RDT15C ENI OEM-12A-21041-51
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