西門子s7-200控制器CPU224,西門子s7200控制器CPU224,西門子CPU224模塊,西門子PLC模塊CPU224
6ES7214-1AD23-0XB8 CPU224 DC/DC/DC,14輸入/10輸出
6ES7214-1BD23-0XB8 CPU224 繼電器輸出,14輸入/10輸出
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SIEMENS上海啟水自動化科技有限公司/聯(lián)系人:李明祥(銷售經(jīng)理)
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SIPLUS S7-200 CPU224 -25...+70 DGR C BASED ON 6ES7214-1AD23-0XB0 DC / 14 DI / 10 DO
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公司主營西門子原裝
S7-200CN|S7-200|S7-1200|S7-300|
S7-400|ET200系列PLC,
西門子T400|TDC高端控制器|
西門子PCS7過程控制系統(tǒng),西門子HMI,
西門子802C|S|D|810D|840D|828D數(shù)控系統(tǒng)及備件,
西門子MM4|G110|G120|V10標準變頻器,
西門子S120|611系列伺服系統(tǒng),
西門子profibus-DP現(xiàn)場總線系統(tǒng),
西門子電機,西門子過程儀表
凡我公司出售的西門子產(chǎn)品均享受西門子質(zhì)保一年
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SIPLUS extreme 產(chǎn)品是基于西門子工業(yè)標準產(chǎn)品的。此處列出的內(nèi)容來自相關的標準產(chǎn)品。添加特定 SIPLUS extreme 設備信息
SIPLUS CPU 224 |
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訂貨號 |
6AG1 214-1AD23-2XB0 |
6AG1 214-1BD23-2XB0 |
訂貨號基于 |
6ES7 214-1AD23-0XB0 |
6ES7 214-1BD23-0XB0 |
環(huán)境溫度范圍 |
-25 ... +70 °C; |
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敷形涂層 |
印刷電路板和電子元件的涂層 |
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技術數(shù)據(jù) |
除環(huán)境條件外,也同樣適用標準產(chǎn)品的技術數(shù)據(jù)。 |
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符合在軌道機車上的電子設備使用標準(EN 50155,溫度 T1,1 類)。 |
√ |
√ |
認證 |
CE, cUL |
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環(huán)境條件 |
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相對濕度 |
5 ... 100 % |
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生物活性物質(zhì) |
符合 EN 60721-3-3 標準,3B2 級霉菌和真菌孢子(動物群除外) |
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化學活性物質(zhì) |
符合 EN 60721-3-3 標準,3C4 級,包括鹽霧和 ISA –S71.04 嚴重級別 G1;G2;G3;GX1)2) |
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機械活性物質(zhì) |
符合標準 EN 60721‑3‑3,Class 3S4,包括導電砂/塵 2) |
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氣壓(取決于最高指定的最高正溫度范圍) |
1080 ... 795 hPa (-1000 ...+2000 m)
795 ... 658 hPa (+2000 ...+3500 m)
658 ... 540 hPa (+3500 ...+5000 m) |
1) ISA-S71.04 嚴重級別 GX:長期負載:SO2 < 4.8 ppm; H2S < 9.9 ppm; Cl < 0.2 ppm; HCl < 0.66 ppm; HF < 0.12 ppm; NH < 49 ppm; O3 < 0.1 ppm; NOX < 5.2 ppm
極限值(最大 30 min/d):SO2 < 17.8 ppm; H2S < 49.7 ppm; Cl < 1.0 ppm; HCl < 3.3 ppm; HF < 2.4 ppm; NH < 247 ppm; O3 < 1.0 ppm; NOX < 10.4 ppm
2) 在含有腐蝕性氣體的環(huán)境中工作時,必須將提供的插頭蓋蓋在未使用的接口上!
關于 SIPLUS 技術文檔,可訪問網(wǎng)址:
CPU 224 裝配有:
設備種類 |
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種類 |
電源電壓 |
輸入電壓 |
輸出電壓 |
輸出電流 |
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24 V DC |
24 V DC |
24 V DC |
0.75 A, 晶體管 |
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85 … 264 V AC |
24 V DC |
24 V DC, 24 … 230 V AC |
2 A,繼電器 |
STEP 7-Micro/WIN32 V4 可以對所有 S7-200 CPU 進行編程.
注意:
不能使用 STEP 7-Micro/DOS 對 CPU 224 進行編程。如果通過PG/PC的串口進行編程,則額外需要PC/PPI電纜。當使用STEP 7 Micro/Win V4編程時,可以通過SIMATIC CP 5511 或 CP 5611進行編程,以及通過編程器的MPI接口編程。此時最高傳輸速率為187.5 kbps。
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6ES7 214-1AD23-0XB0 |
6ES7 214-1BD23-0XB0 |
電源電壓 |
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24 V DC |
√ |
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允許范圍,下限 (DC) |
20.4 V |
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允許范圍,上限 (DC) |
28.8 V |
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120 V AC |
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√ |
230 V AC |
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√ |
電源頻率 |
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63 Hz |
負載電壓 L+ |
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24 V |
24 V |
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20.4 V |
5 V |
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28.8 V |
30 V |
負載電壓 L1 |
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100 V;100-230 V AC |
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5 V |
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250 V |
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47 Hz |
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63 Hz |
輸入電流 |
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突波電流,最大值 |
28.8 V 時, 12 A |
264 V 時, 20 A |
從電源 L+ 供電,最大值 |
700 mA; 110 - 700 mA,擴展模塊輸出電流(5 VDC) 660 mA |
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從電源 L1 供電,最大值 |
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200 mA; 30 - 100 mA (240 V); 60 - 200 mA (120 V); 擴展模塊輸出電流 (5 VDC) 600 mA |
編碼器電源 |
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24 V 編碼器電源 |
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√;允許范圍:15.4 至 28.8 V |
√;允許范圍:20.4 至 28.8 V |
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√; 280 mA 時,電子式 |
√; 280 mA 時,電子式 |
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280 mA |
280 mA |
存儲器 |
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存儲模塊數(shù)量(選件) |
1,可插入存儲模塊,內(nèi)容與內(nèi)置的 EEPROM 相同,此外還可以存儲配方、數(shù)據(jù)記錄和其他文件。 |
1,可插入存儲模塊,內(nèi)容與內(nèi)置的 EEPROM 相同,此外還可以存儲配方、數(shù)據(jù)記錄和其他文件。 |
數(shù)據(jù)和程序存儲器 |
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8 kbyte |
8 kbyte |
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12 kb;8 kb 用于運行時編輯 |
12 kb;8 kb 用于運行時編輯 |
后備 |
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√;程序:集成 EEPROM 上的整個程序免維護,可通過 CPU 編程;數(shù)據(jù):從編程器/PC 加載的整個 DB 1 免維護,存儲在集成 EEPROM 中;通過高性能電容器,RAM 中 DB 1 的當前值、保持性存儲位、定時器、計數(shù)器等均免維護;可選電池,用于長期緩沖 |
√;程序:集成 EEPROM 上的整個程序免維護,可通過 CPU 編程;數(shù)據(jù):從編程器/PC 加載的整個 DB 1 免維護,存儲在集成 EEPROM 中;通過高性能電容器,RAM 中 DB 1 的當前值、保持性存儲位、定時器、計數(shù)器等均免維護;可選電池,用于長期緩沖 |
后備電池 |
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100 小時;(40 ℃ 時,最短 70 小時);帶有可選電池模塊時,200 天(典型值) |
100 小時;(40 ℃ 時,最短 70 小時);帶有可選電池模塊時,200 天(典型值) |