系列：AV-300i
產(chǎn)品描述
RV33-1的優(yōu)點(diǎn)：小體積，小型化；縮短研發(fā)周期；驅(qū)動(dòng)電路和IGBT之間連線短，驅(qū)動(dòng)電路的阻抗低，不需要負(fù)電源；集成了IGBT的驅(qū)動(dòng)，欠壓保護(hù)，過(guò)熱保護(hù)，過(guò)流短路保護(hù)，可靠性高。
RV33-1的缺點(diǎn)：過(guò)流或者過(guò)溫保護(hù)點(diǎn)已經(jīng)定死,如果因?yàn)槟承┨厥獾男枨缶蜔o(wú)法作更改，靈活性不夠；IPM只有一個(gè)報(bào)警信號(hào)輸出，不能分辨究竟是過(guò)熱還是過(guò)流還是欠壓等。如果就只有驅(qū)動(dòng)或者保護(hù)部分電路損壞,但是我們只能無(wú)奈的換掉整個(gè)模塊；尤其是大功率IPM的采購(gòu)成本非常高。
RV33-1的優(yōu)點(diǎn)：采用IGBT架構(gòu)電路結(jié)構(gòu)靈活，過(guò)載能力強(qiáng)（其額定電流是在80℃定義，而IPM是在25℃定義的），采購(gòu)成本低，可以通過(guò)調(diào)整驅(qū)動(dòng)電阻的阻值來(lái)取得合適的開關(guān)時(shí)間，以產(chǎn)生最小的EMI和最大的效率。
RV33-1的缺點(diǎn)：體積大，還需要設(shè)計(jì)如驅(qū)動(dòng)電路、外圍的報(bào)警保護(hù)電路等保證RV33-1的可靠運(yùn)行。因此設(shè)計(jì)難度大，穩(wěn)定性和可靠性很難把握，并且驅(qū)動(dòng)電源往往需要負(fù)電源，需要提供的電源相對(duì)多，布局布線存在困難。
在高檔的伺服驅(qū)動(dòng)裝置的研發(fā)中，我們恰恰需要它的靈活性。只有從工藝、電路、布局布線以及軟件上進(jìn)行優(yōu)化，才能打造出可靠穩(wěn)定的硬件平臺(tái)。RV33-1的驅(qū)動(dòng)的結(jié)構(gòu)形式：分離元件;專用集成驅(qū)動(dòng)電路;光耦驅(qū)動(dòng);變壓器驅(qū)動(dòng)。隨著大規(guī)模集成電路的發(fā)展及貼片工藝的出現(xiàn)，這類分離元件式的驅(qū)動(dòng)電路，因結(jié)構(gòu)復(fù)雜、集成化低、故障率高已逐漸被淘汰。光耦器件構(gòu)成的驅(qū)動(dòng)電路具有線路簡(jiǎn)單、可靠性高、開關(guān)性能好等特點(diǎn)，在RV33-1驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)中被廣泛采用。如東芝公司的TLP系列、夏普公司的PC系列，安華高的HCPL系列等。目前已開發(fā)的專用集成驅(qū)動(dòng)電路，主要有IR公司的IR2136，三菱公司的EXB系列厚膜驅(qū)動(dòng)。此外，現(xiàn)在的一些歐美廠商在IGBT驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)上采用高頻隔離變壓器，如CONCEPT的焊機(jī)，丹佛斯VLT系列變頻電源。通過(guò)高頻變壓器對(duì)驅(qū)動(dòng)電路電源及信號(hào)的隔離，增強(qiáng)驅(qū)動(dòng)電路的可靠性，同時(shí)也有效地防止主電路出現(xiàn)故障時(shí)對(duì)控制電路的損壞，故障率低，壽命長(zhǎng)，響應(yīng)快。但缺點(diǎn)是工藝復(fù)雜。
RV33-1模塊可能由于過(guò)電流、過(guò)電壓這類異常情況而受損，因此，在RV33-1模塊的運(yùn)用中,設(shè)計(jì)能夠避免這種異常情況從而保護(hù)元件的保護(hù)電路顯得尤為重要。短路保護(hù)通常有兩種方案，一種是通過(guò)電流檢測(cè)器，如電流傳感器或者互感器直接檢測(cè)RV33-1的集電極電流，另外一種通過(guò)檢測(cè)RV33-1的飽和壓降。在短路電流出現(xiàn)時(shí)，為了避免關(guān)斷電流的di/dt過(guò)大形成的過(guò)電壓，導(dǎo)致IGBT鎖定無(wú)效和損壞，以及降低電磁干擾，通常采用軟關(guān)斷技術(shù)。一些驅(qū)動(dòng)光耦同時(shí)具備這兩種功能，因此采用帶檢測(cè)RV33-1的飽和壓降功能驅(qū)動(dòng)光耦的方案。過(guò)電流檢測(cè)通過(guò)檢測(cè)電機(jī)電流來(lái)實(shí)現(xiàn)。
因?yàn)镽V33-1的開關(guān)速度很快，RV33-1關(guān)斷時(shí)，或FWD反向恢復(fù)時(shí)會(huì)產(chǎn)生很高的di/dt，由模塊周邊的雜散電感引發(fā)L·（di/dt）電壓（關(guān)斷浪涌電壓）。抑制發(fā)生過(guò)電壓的原因的關(guān)斷浪涌電壓的方法有：盡量將電解電容器配置在IGBT的附近，減小雜散電感;調(diào)整IGBT的驅(qū)動(dòng)電路的驅(qū)動(dòng)電阻，減小di/dt;在RV33-1中加上緩沖電路，吸收浪涌電壓。在緩沖電路的電容器中使用薄膜電容，并配置在RV33-1附近，使其吸收高頻浪涌電壓。
