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二次側(cè)額定電流通常為1A或5A。其中2×a/C表示同一臺(tái)產(chǎn)品有兩種電流比，通過(guò)改變產(chǎn)品的連接片接線方式實(shí)現(xiàn)，當(dāng)串聯(lián)時(shí)，電流比為a/c，并聯(lián)時(shí)電流比為2×a/C。一般情況下，計(jì)量用電流互感器變流比的選擇應(yīng)使其一次額定電流I1n不小于線路中的負(fù)荷電流（即計(jì)算IC）。如線路中負(fù)荷計(jì)算電流為350A，則電流互感器的變流比應(yīng)選擇400/5。保護(hù)用的電流互感器為保證其準(zhǔn)確度要求，可以將變比選得大一些。準(zhǔn)確級(jí)應(yīng)根據(jù)測(cè)量準(zhǔn)確度[8]要求選擇電流互感器的準(zhǔn)確級(jí)并進(jìn)行校驗(yàn)。下表為不同準(zhǔn)確級(jí)電流互感器的誤差限值：電流互感器準(zhǔn)確級(jí)和誤差限值電流互感器準(zhǔn)確級(jí)和誤差限值準(zhǔn)確級(jí)選擇的原則：計(jì)費(fèi)計(jì)量用的電流互感器其準(zhǔn)確級(jí)不低于0．5級(jí)；
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ZVS），或是通過(guò)開關(guān)管的電流為零，即零電流開關(guān)（Zero-Current·Switching，ZCS）。這種軟開關(guān)方式可以顯著地減小開關(guān)損耗，以及開關(guān)過(guò)程中激起的振蕩，使開關(guān)頻率可以大幅度提高，為轉(zhuǎn)換器的小型化和模塊化創(chuàng)造了條件。功率場(chǎng)效應(yīng)管（MOSFET）是應(yīng)用較多的開關(guān)器件，它有較高的開關(guān)速度，但同時(shí)也有較大的寄生電容。它關(guān)斷時(shí)，在外電壓的作用下，其寄生電容充滿電，如果在其開通前不將這一部分電荷放掉，則將消耗于器件內(nèi)部，這就是容性開通損耗。為了減小或消除這種損耗，功率場(chǎng)效應(yīng)管宜采用零電壓開通方式（ZVS）。絕緣柵雙極性晶體管（InsulatedGateBipolartansistor，IGBT）是一種復(fù)合開關(guān)器件。
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無(wú)論在基礎(chǔ)上還是起步時(shí)間上都落后于歐美國(guó)家。但至少目前技術(shù)已經(jīng)不是與國(guó)外變頻器行業(yè)的壁壘，而穩(wěn)定性及產(chǎn)品性能才是各個(gè)廠商面臨的主要技術(shù)問(wèn)題。許多國(guó)內(nèi)軟啟動(dòng)企業(yè)都在變頻器研發(fā)上投入大量的人力與物力，力求在變頻器技術(shù)方面占領(lǐng)制高點(diǎn)。一批的變頻器企業(yè)脫穎而出，成為了國(guó)內(nèi)上市企業(yè)。盡管如此，變頻器的核心器件IGBT和芯片始終依賴進(jìn)口，成為制約變頻器國(guó)產(chǎn)的瓶頸。變頻器核心器件的研發(fā)制造是變頻器產(chǎn)業(yè)需要突破的一個(gè)重要關(guān)口，威爾凱電氣也正在這個(gè)領(lǐng)域進(jìn)行不懈地堅(jiān)持和努力。我想不久的將來(lái)，的變頻技術(shù)是有可能達(dá)到甚至超越外國(guó)先進(jìn)水平，至于多久能夠?qū)崿F(xiàn)，我們一起拭目以待吧。全球性“節(jié)能減排”工業(yè)改造計(jì)劃正在大規(guī)模推行,作為大國(guó)也高度重視節(jié)能減排。
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故在電路中起著自動(dòng)調(diào)節(jié)、保護(hù)、轉(zhuǎn)換電路等作用。主要用于發(fā)電機(jī)、變壓器和輸電線的繼電保護(hù)裝置中，作為過(guò)電壓保護(hù)或低電壓閉鎖的啟動(dòng)原件。[1]中文名電壓繼電器外文名Voltagerelay類別電氣設(shè)備學(xué)科電工學(xué)作用自動(dòng)調(diào)節(jié)、保護(hù)、轉(zhuǎn)換電路分類過(guò)電壓繼電器、欠電壓繼電器目錄1介紹2分類3電磁式電壓繼電器4靜態(tài)電壓繼電器介紹編輯電壓繼電器是輸入量、特性量為電壓的量度繼電器，分為過(guò)電壓繼電器和欠電壓繼電器。前者由于電壓值增加達(dá)到整定值而動(dòng)作，然后處于動(dòng)后狀態(tài)；后者由于電壓值減少達(dá)到整定值而動(dòng)作，然后處于釋放狀態(tài)。電壓繼電器有電磁型、晶體管型。電磁型電壓繼電器原理及結(jié)構(gòu)如圖1所示，當(dāng)電壓達(dá)到整定值時(shí)，鐵芯將舌片吸合。
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