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SUNKWANG韓國鮮光安全光幕產(chǎn)品型號：
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國外稱為SoftStarter。軟啟動器采用三相反并聯(lián)晶閘管作為調(diào)壓器，將其接入電源和電動機定子之間。這種電路如三相全控橋式整流電路。使用軟啟動器啟動電動機時，晶閘管的輸出電壓逐漸增加，電動機逐漸加速，直到晶閘管全導(dǎo)通，電動機工作在額定電壓的機械特性上，實現(xiàn)平滑啟動，降低啟動電流，避免啟動過流跳閘。待電機達(dá)到額定轉(zhuǎn)數(shù)時，啟動過程結(jié)束，軟啟動器自動用旁路接觸器取代已完成任務(wù)的晶閘管，為電動機正常運轉(zhuǎn)提供額定電壓，以降低晶閘管的熱損耗，延長軟啟動器的使用壽命，提高其工作效率，又使電網(wǎng)避免了諧波污染。軟啟動器同時還提供軟停車功能，軟停車與軟啟動過程相反，電壓逐漸降低，轉(zhuǎn)數(shù)逐漸下降到零，避免自由停車引起的轉(zhuǎn)矩沖擊。
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有利于保護設(shè)備的運行?？刂票P上的顯示功能，便于在現(xiàn)場了解設(shè)備運行情況。數(shù)字化參數(shù)設(shè)定及顯示功能直觀、方便、省時。[2]性能特點軟啟動采用軟件控制方式來平滑啟動電動機，控制方式是以軟（件）控強（電）。其控制結(jié)果將電動機啟動特性由“硬”平滑為“軟”平滑，故被稱為“軟啟動”。軟啟動又分為兩種：一種是采用變頻恒轉(zhuǎn)矩限流啟動；另一種是采用晶閘管調(diào)壓啟動，又稱智能軟啟動。兩類軟啟動的對比：技術(shù)性能。采用變頻調(diào)速啟動，啟動時具有良好的靜、動態(tài)性能，軟啟動器（圖12）軟啟動器（圖12）即使是在低速情況下也能隨意調(diào)節(jié)電動機轉(zhuǎn)矩，能以恒轉(zhuǎn)矩啟動電動機，啟動電流可以限制在的額定電流以下。采用智能軟啟動，啟動時由于轉(zhuǎn)矩是按電壓比的二次方減小。
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工作原理編輯開關(guān)電源的工作過程相當(dāng)容易理解，在線性電源中，讓功率晶體管工作在線性模式，與線性電源不同的是，PWM開關(guān)電源是讓功率晶體管工作在導(dǎo)通和關(guān)斷的狀態(tài)，在這兩種狀態(tài)中，加在功率晶體管上的伏-安乘積是很小的（在導(dǎo)通時，電壓低，電流大；關(guān)斷時，電壓高，電流?。?功率器件上的伏安乘積就是功率半導(dǎo)體器件上所產(chǎn)生的損耗。與線性電源相比，PWM開關(guān)電源更為有效的工作過程是通過“斬波”，即把輸入的直流電壓斬成幅值等于輸入電壓幅值的脈沖電壓來實現(xiàn)的。開關(guān)電源伯特圖開關(guān)電源伯特圖脈沖的占空比由開關(guān)電源的控制器來調(diào)節(jié)。一旦輸入電壓被斬成交流方波，其幅值就可以通過變壓器來升高或降低。通過增加變壓器的二次繞組數(shù)就可以增加輸出的電壓值。
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環(huán)境溫度：現(xiàn)般要求為-10至40度。如散熱條件好（如拿去外殼），則上限溫度可以提高到50度。故障劃分編輯變頻器故障監(jiān)測劃分狀態(tài)故障監(jiān)測：直流過/久壓、直流過流、交流過流、速度偏差過大、接地故障、缺相等。硬件故障檢測：電流板故障、觸發(fā)板故障、IGBT故障、脈沖發(fā)生器故障等。系統(tǒng)故障監(jiān)測：Watchdog故障、系統(tǒng)參數(shù)異常、時鐘故障等。通訊故障監(jiān)測：TIMEOUT、OVERRUN等。電源故障監(jiān)測：當(dāng)控制電源過高/過低時報警。欠壓故障處理編輯在變頻器維修中我們經(jīng)常會聽到過壓故障，但欠壓故障也是變頻器使用中常碰到的問題。其產(chǎn)生原因是主回路電壓低于下限引起的保護動作或整流橋某一路損壞或電網(wǎng)瞬時停電、輸入缺相等。
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中山立訊電氣有限公司/中山朗立電氣銷售SUNKWANG韓國鮮光安全光幕SK-608,SK-308,SK-610,SK-310,SK-612,ST-4014R
中山立訊電氣有限公司/中山朗立電氣銷售SUNKWANG韓國鮮光安全光幕SK-312,SK-614,SK-314,SK-616,SK-316,SK-618
中山立訊電氣有限公司/中山朗立電氣銷售SUNKWANG韓國鮮光安全光幕電磁閥:SV-504,SV-506,SV-508,SK-4014R
改變Ugs的大小，主電路的漏極電流Id也跟著改變。由于G、S間的輸入阻抗很大，故控制電流幾乎為0，所需驅(qū)動功率很小。和GTR相比，其驅(qū)動系統(tǒng)比較簡單，工作頻率也比較高。此外，MOSFET還具有熱穩(wěn)定性好、工作區(qū)大等優(yōu)點。但是，功率場效應(yīng)晶體管在提高擊穿電壓和增大電流方面進展較慢，故在變頻器中的應(yīng)用尚不能居主導(dǎo)地位。絕緣柵雙極晶體管（IGBT）IGBT是MOSFET和GTR相結(jié)合的產(chǎn)物，是柵極為絕緣柵結(jié)構(gòu)（MOS結(jié)構(gòu)）的晶體管，它的三個極分別是集電極C、發(fā)射極E和柵極G。工作特點是，控制部分與場效應(yīng)晶體管相同，控制信號為電壓信號Uge,輸入阻抗很高，柵極電流I≈0，故驅(qū)動功率很小。而起主電路部分則與GTR相同。
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