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而且當熔體發(fā)生熔斷時其兩端的電壓也很高，往往會出現(xiàn)熔體已熔化（熔斷）甚至已汽化，但是電流并沒有切斷，其原因就是在熔斷的一瞬間在電壓及電流的作用下，絲的兩電極之間發(fā)生拉弧現(xiàn)象。這個滅弧裝置必須有很強的絕緣性與很好的導熱性，且呈負電性。石英砂就是常用的滅弧材料。熔斷裝置另外，還有一些絲有熔斷指示裝置，它的作用就是當絲動作（熔斷）后其本身發(fā)生一定的外觀變化，易于被維修人員發(fā)現(xiàn)，例如：發(fā)光、變色、彈出固體指示器等。分斷能力編輯當介于常規(guī)不熔斷電流與相關(guān)標準規(guī)定的額定分斷能力（的電流）之間的電流作用于絲時，絲應能滿意地動作，而且不會危及周圍環(huán)境。絲被安置的電路的預期故障電流必須小于標準規(guī)定的額定分斷能力電流。
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使GTO晶閘管相形見絀。因此，在大量的中小容量變頻器中，GTO晶閘管已基本不用。但其工作電流大，故在大容量變頻器中，仍居主要地位。逆變器件的介紹：上次我們向大家介紹了普通晶閘管（SCR）和門極關(guān)斷晶閘管（GTO），重要是讓大家了解變頻器中逆變器件是如何工作的，它們起到什么作用！接下來我們講：大功率晶體管（GTR）-大功率晶體管，也叫雙極結(jié)型晶體管（BJT）。變頻器用的GTR一般都是（復合管）模塊，其內(nèi)部有三個極分別是集電極C、發(fā)射極E和基極B。根據(jù)變頻器的工作特點，在晶體管旁還并聯(lián)了一個反向連接的續(xù)流二極管。又根據(jù)逆變橋的特點，常做成雙管模塊，甚至可以做成6管模塊。工作時狀態(tài)和普通晶體管一樣。
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由于電壓互感器內(nèi)阻抗很小，若二次回路短路時，會出現(xiàn)很大的電流，將損壞二次設(shè)備甚至危及人身。電壓互感器可以在二次側(cè)裝設(shè)熔斷器以保護其自身不因二次側(cè)短路而損壞。在可能的情況下，一次側(cè)也應裝設(shè)熔斷器以保護高壓電網(wǎng)不因互感器高壓繞組或引線故障危及一次系統(tǒng)的。5．為了確保人在接觸測量儀表和繼電器時的，電壓互感器二次繞組必須有一點接地。因為接地后，當一次和二次繞組間的絕緣損壞時，可以防止儀表和繼電器出現(xiàn)高電壓危及人身。電壓互感器副邊不容許短路。[8]異常與處理編輯常見異常（1）三相電壓指示不平衡：一相降低（可為零），另兩相正常，線電壓不正常，或伴有聲、光信號，可能是互感器高壓或低壓熔斷器熔斷[9]；（2）中性點非有效接地系統(tǒng)。
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發(fā)展方向電力電子器件的基片已從Si（硅）變換為SiC（碳化硅），使電力電子新元件具有耐高壓、低功耗、耐高溫的優(yōu)點；并制造出體積小、容量大的驅(qū)動裝置；磁鐵電動機也正在開發(fā)研制之中。隨著IT技術(shù)的迅速普及，變頻器相關(guān)技術(shù)發(fā)展迅速，未來主要向以下幾個方面發(fā)展：[10]網(wǎng)絡(luò)智能化智能化的變頻器使用時不必進行很多參數(shù)設(shè)定，本身具備故障自診斷功能，具有高穩(wěn)定性、高可靠性及實用性。利用互聯(lián)網(wǎng)可以實現(xiàn)多臺變頻器聯(lián)動，甚至是以工廠為單位的變頻器綜合管理控制系統(tǒng)。[10]專門化和一體化變頻器的制造專門化，可以使變頻器在某一領(lǐng)域的性能更強，如風機、水泵用變頻器、電梯變頻器、起重機械變頻器、張力控制變頻器等。除此以外。
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也就是人們常說的普通晶閘可控硅可控硅管，它是由四層半導體材料組成的，有三個PN結(jié)，對外有三個電極〔圖2(a）〕：層P型半導體引出的電極叫陽極A，第三層P型半導體引出的電極叫控制極G，第四層N型半導體引出的電極叫陰極K。從晶閘管的電路符號〔圖2(b）〕可以看到，它和二極管一樣是一種單方向?qū)щ姷钠骷P(guān)鍵是多了一個控制極G，這就使它具有與二極管完全不同的工作特性。以硅單晶為基本材料的P1N1P2N2四層三端器件,起始于1957年，因為它的特性類似于真空閘流管，所以上通稱為硅晶體閘流管，簡稱晶閘管T，又因為晶閘管初的在靜止整流方面，所以又被稱之為硅可控整流元件，簡稱為可控硅SCR。在性能上，可控硅不僅具有單向?qū)щ娦浴?img alt="泊頭市SANIL開關(guān)SBF-1,Amp,NPN,2m," src="http://img.jdzj.com/UserDocument/mallpic/lixun98/Picture/200225090406121.jpg" />
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