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產(chǎn)品簡(jiǎn)介
紹興市韓國(guó)KBL vision 光源K-CPV-5產(chǎn)品分類
紹興市韓國(guó)KBL vision 光源K-CPV-5產(chǎn)品分類
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上架日期:2020-02-24 11:11:47
產(chǎn)地:韓國(guó)
發(fā)貨地:中山市
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詳細(xì)說明

    紹興市韓國(guó)KBL vision 光源K-CPV-5產(chǎn)品分類中山立訊批發(fā)Daehan Sensor液位傳感器
    DT-200  DT-300  DT-400  DT-500  DT-600  DF-4P  DF-4S  DF-300  DF-400  DQ-4F  DQ-4S
    DE-5H  DE-5F  DE-5S  DGS-100  DGS-100A  DGS-500 DGL-200  DGL-200L
    DPS-500  DPS-500L DC-100S  DC-300 DRF-100S  DRF-200F DMC-3S  DMC-100S
    流量開關(guān) 液面控制器DFS-1S  DFS-2S DH-100F  DH-100S  DH-200S  HL-100  HL-101  HL-400 DLT-1100  DP-100S
    浮球液位開關(guān)DLF-1  DLF-S  DLF-BS  DLF-SL  DLF-LB-1S  DLF-4P-1S  DLF-4P-4S  DLF-4P-1P  DLF-4P-4P  DLF-4P-1N  DLF-4P-4N  DLF-4P-1V  DLF-4P-4V  DLF-4P-1S-F  DLF-4P-4S-F  DLF-4P-1S-G  DLF-4P-4S-G  DLF-4P-1S-FH  DLF-4P-4S-FH  DLF-4P-1S-GH  DLF-3P-1S-GH DLF-4P-4S-GH    DLF-103    DLF-303    DLF-503    DLF-503A    DLF-1P-1P-180L  DLF-1P-1P-220L  DLF-1P-1P-260L  DLF-1P-1P-300L  DLF-1P-1P-380L  DLF-1P-1P-420L  DLF-1P-1P-470L  DLF-1P-1P-550L  DLF-1P-1P-642L  DLF-1P-1P-800L  DLF-1P-1P-325L(PVDF)  DLF-1P-1P-400L(PVDF)  DLF-1P-1P-490L(PVDF)  DLF-1P-1P-600L(PVDF)  DLF-1P-1P-680L(PVDF)  DLF-1P-1P-850L(PVDF)   二)液位控制器DFIC-4U  DFIC-4P  DFIC-4U-M  DFIC-4D  DFIC-4DN
    DPC-10  DPC-2U  DPC-3U DPC-3U-2W  DPC-4U  DPC-4U-2W  DPC-3U-2WN  
    DFI-24VN  DFI-24V DLC-3U  DLC-3U-2W    DLC-4U  DLC-4U-2W    DLC-4U-MC  DLC-4U-M-2W    DLC-2M  DLC-3M    DLC-2M-AL  DLC-4P   紹興市韓國(guó)KBL vision 光源K-CPV-5產(chǎn)品分類用于監(jiān)視各進(jìn)出線回路中負(fù)荷電流大小的電流表應(yīng)選用1.0—3.0級(jí)電流互感器。為了保證準(zhǔn)確度誤差不超過規(guī)定值,一般還校驗(yàn)電流互感器二次負(fù)荷(伏安),互感器二次負(fù)荷S2不大于額定負(fù)荷S2n,所選準(zhǔn)確度才能得到保證。準(zhǔn)確度校驗(yàn)公式:S2≤S2n。二次回路的負(fù)荷l:取決于二次回路的阻抗Z2的值,則:S2=I2n2︱Z2︱≈I2n2(∑︱Zi︱+RWl+RXC)或S2V1≈∑Si+I2n2(RWl+RXC)式中,Si、Zi為二次回路中的儀表、繼電器線圈的額定負(fù)荷和阻抗,RXC為二次回路中所有接頭、觸點(diǎn)的接觸電阻,一般取0.1Ω,RWL為二次回路導(dǎo)線電阻,計(jì)算公式化為:RWL=LC/(r×S)。式中,r為導(dǎo)線的導(dǎo)電率。紹興市韓國(guó)KBL vision 光源K-CPV-5產(chǎn)品分類
    t為熱穩(wěn)定電流時(shí)間。額定容量電流互感器二次額定容量要大于實(shí)際二次負(fù)載,實(shí)際二次負(fù)載應(yīng)為25~二次額定容量。容量決定二次側(cè)負(fù)載阻抗,負(fù)載阻抗又影響測(cè)量或控制精度。負(fù)載阻抗主要受測(cè)量?jī)x表和繼電器線圈電阻、電抗及接線接觸電阻、二次連接導(dǎo)線電阻的影響。使用注意事項(xiàng)編輯使用原則1)電流互感器的接線應(yīng)遵守串聯(lián)原則[8]:即一次繞阻應(yīng)與被測(cè)電路串聯(lián),而二次繞阻則與所有儀表負(fù)載電流互感器電流互感器串聯(lián)2)按被測(cè)電流大小,選擇合適的變比,否則誤差將增大。同時(shí),二次側(cè)一端必須接地,以防絕緣一旦損壞時(shí),一次側(cè)高壓竄入二次低壓側(cè),造成人身和設(shè)備事故3)二次側(cè)不允許開路,因一旦開路,一次側(cè)電流I1全部成為磁化電流,引起φm和E2驟增??梢哉{(diào)節(jié)升流器電流的調(diào)壓器,及負(fù)載。[10]注意事項(xiàng)電流互感器-使用注意事項(xiàng)電流互感器[11]運(yùn)行時(shí),副邊不允許開路。因?yàn)橐坏╅_路,原邊電流均成為勵(lì)磁電流,使磁通和副邊電壓大大超過正常值而危及人身和設(shè)備。因此,電流互感器副邊回路中不許接熔斷器,也不允許在運(yùn)行時(shí)未經(jīng)旁路就拆下電流表、繼電器等設(shè)備。電流互感器運(yùn)行時(shí),副邊不允許開路。原因如下:⒈電流互感器一次被測(cè)電流磁勢(shì)I1N1在鐵芯產(chǎn)生磁通Φ1⒉電流互感器二次測(cè)量?jī)x表電流磁勢(shì)I2N2在鐵芯產(chǎn)生磁通Φ2⒊電流互感器鐵芯合磁通:Φ=Φ1+Φ2⒋因?yàn)棣?.Φ2方向相反,大小相等,互相抵消,所以Φ=0⒌若二次開路,即I2=0,則:Φ=Φ1,電流互感器鐵芯磁通很強(qiáng)。
    DEC-4U-2WN  DEC-5U-2WN
    DQC-3UN  DQC-4U-M-2W  DQC-4U-MC-2W
    三)液位監(jiān)控器,監(jiān)控系統(tǒng)
    D.T.M.S  DPS-6000  DPI-5000
    四)液位儀表,液位指示儀 液位指示表
    DI-200D  DI-100A  DI-65A  DI-100D
    轉(zhuǎn)換器DT-200R 紹興市韓國(guó)KBL vision 光源K-CPV-5產(chǎn)品分類特別是在高新技術(shù)領(lǐng)域的應(yīng)用,推動(dòng)了開關(guān)電源的發(fā)展前進(jìn),每年以超過兩位數(shù)字的增長(zhǎng)率向著輕、小、薄、低噪聲、高可靠、抗干擾的方向發(fā)展。開關(guān)電源可分為AC/DC和DC/DC兩大類,DC/DC變換器現(xiàn)已實(shí)現(xiàn)模塊化,且設(shè)計(jì)技術(shù)及生產(chǎn)工藝在均已成熟和標(biāo)準(zhǔn)化,并已得到用戶的認(rèn)可,但AC/DC的模塊化,因其自身的特性使得在模塊化的進(jìn)程中,遇到較為復(fù)雜的技術(shù)和工藝制造問題。另外,開關(guān)電源的發(fā)展與應(yīng)用在節(jié)約能源、節(jié)約資源及保護(hù)環(huán)境方面都具有重要的意義。開關(guān)電源中應(yīng)用的電力電子器件主要為二極管、IGBT和MOSFET、變壓器。SCR在開關(guān)電源輸入整流電路及軟啟動(dòng)電路中有少量應(yīng)用,GTR驅(qū)動(dòng)困難,開關(guān)頻率低,逐漸被IGBT和MOSFET取代。紹興市韓國(guó)KBL vision 光源K-CPV-5產(chǎn)品分類
    儀表在使用前請(qǐng)通電熱機(jī)30分鐘存儲(chǔ)媒體是精密產(chǎn)品,請(qǐng)小心使用。除插入和取出存儲(chǔ)媒體外,運(yùn)行時(shí)請(qǐng)關(guān)上操作蓋。存儲(chǔ)媒體和USB接口應(yīng)減少與灰塵的接觸以得到保護(hù)。使用U盤、SD卡請(qǐng)注意靜電保護(hù)。在高溫(大約40℃以上)使用存儲(chǔ)媒體時(shí),請(qǐng)?jiān)诒4鏀?shù)據(jù)時(shí)插入存儲(chǔ)媒體,數(shù)據(jù)保存結(jié)束后取出放好,不要長(zhǎng)期插在儀表上。打開/關(guān)閉電源前,請(qǐng)取出存儲(chǔ)媒體。關(guān)于存儲(chǔ)媒體的一般使用注意事項(xiàng),請(qǐng)參見所使用的存儲(chǔ)媒體所帶的使用說明書。開關(guān)電源的發(fā)展方向是高頻、高可靠、低耗、低噪聲、抗干擾和模塊化。開關(guān)電源開關(guān)電源由于開關(guān)電源輕、小、薄的關(guān)鍵技術(shù)是高頻化,因此國(guó)外各大開關(guān)電源制造商都致力于同步開發(fā)新型高智能化的元器件,特別是改善二次整流器件的損耗,并在功率鐵氧體材料上加大科技創(chuàng)新,以提高在高頻率和較大磁通密度(Bs)下獲得高的磁性能,而電容器的小型化也是一項(xiàng)關(guān)鍵技術(shù)。SMT技術(shù)的應(yīng)用使得開關(guān)電源取得了長(zhǎng)足的進(jìn)展,在電路板兩面布置元器件,以確保開關(guān)電源的輕、小、薄。開關(guān)電源的高頻化就必然對(duì)傳統(tǒng)的PWM開關(guān)技術(shù)進(jìn)行創(chuàng)新,實(shí)現(xiàn)ZVS、ZCS的軟開關(guān)技術(shù)已成為開關(guān)電源的主流技術(shù),并大幅提高了開關(guān)電源的工作效率。對(duì)于高可靠性指標(biāo),美國(guó)的開關(guān)電源生產(chǎn)商通過降低運(yùn)行電流。

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