SCT205K122D3B25-F美國(guó)CDE SCT型 IGBT突波吸收盒裝電容器
全新原裝 價(jià)格優(yōu)惠 咨詢電話0755-83253360 13510286172 鮑先生
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特點(diǎn)：承受瞬間大電流
直接安裝在IGBT模塊上
小于20nH的低電感
符合UL94V0 標(biāo)準(zhǔn)的阻燃環(huán)氧樹脂封裝
用途：SCT型對(duì)高速率電壓上升的中低電流的IGBT提供了電壓的保護(hù)
連接在兩個(gè)IGBT模塊上聯(lián)絡(luò)C1到E2的電容器，或者從P端口及
N端口除去了在六組模塊上一些瞬間的電壓。
SCT系列部分型號(hào)：
SCT474K601A3B25-F 0.47µF 600V
SCT684K601A3B25-F 0.68µF 600V
SCT105K601A3B25-F 1µF 600V
SCT155K601A3B25-F 1.5µF 600V
SCT205K601A3B25-F 2µF 600V
SCT335K601A3B25-F 3.3µF 600V
SCT475K601A3B25-F 4.7µF 600V
SCT224K102D3B25-F 0.22µF 1000V
SCT474K102D3B25-F 0.47µF 1000V
SCT564K102D3B25-F 0.56µF 1000V
SCT684K102D3B25-F 0.68µF 1000V
SCT105K102D3B25-F 1µF 1000V
SCT125K102D3B25-F 1.2µF 1000V
SCT224K122D3B25-F 0.22µF 1200V
SCT334K122D3B25-F 0.33µF 1200V
SCT474K122D3B25-F 0.47µF 1200V
SCT684K122D3B25-F 0.68µF 1200V
SCT105K122D3B25-F 1µF 1200V
SCT155K122D3B25-F 1.5µF 1200V
SCT205K122D3B25-F 2µF 1200V
SCT305K122D3B25-F 3µF 1200V
SCT224K162D3B25-F 0.22µF 1600V
SCT334K162D3B25-F 0.33µF 1600V
SCT474K162D3B25-F 0.47µF 1600V
SCT684K162D3B25-F 0.68µF 1600V
SCT105K162D3B25-F 1µF 1600V
SCT155K162D3B25-F 1.5µF 1600V
SCT205K162D3B25-F 2µF 1600V
SCT224K202D3B25-F 0.22µF 2000V
SCT334K202D3B25-F 0.33µF 2000V
SCT474K202D3B25-F 0.47µF 2000V
SCT684K202D3B25-F 0.68µF 2000V
SCT105K202D3B25-F 1µF 2000V
SCT125K202D3B25-F 1.2µF 2000V
SCT155K202D3B25-F 1.5µF 2000V
本公司主要經(jīng)營(yíng)美國(guó)CDE電容： 無感電容： 941C系列：941C12P1K-F 941C12P15K-F 941C12P22K-F 941C12P33K-F 941C12P47K-F 930C系列：930C12W2K-F 930C12W3K-F 930C12W3-3K-F 930C4W2K-F 930C2W30J-F 930C2W30-1J-F SCT型IGBT突波吸收盒： SCT474K122D3B25-F SCT474K102D3B25-F SCT474K601A3B25-F SCT334K162D3B25-F SCT334K202D3B25-F SCMT型 單個(gè)或雙個(gè)IGBT突波吸收密封盒裝電容器： SCMT105K601H5N29-F SCMT474K122H8P29-F SCMT334K122H8P28-F SCMT205K122H1P29-F UNL型 鍍金屬聚丙烯電解薄膜電容器： UNL10W10KS-F UNL12W7P5K-F UNL8W15KS-F UNL9W13P5K-F UNL5W35KS-F UNL6W30K-F DCMCE85 ºC螺栓式鋁電解電容： DCMCE1647 DCMCE1649 DCMCE1669 DCMCE1671 DCMCE1654 突波吸收和射頻設(shè)備，云母電容器：CD16 & CDV16 全新原裝 價(jià)格優(yōu)惠 咨詢電話0755-83253360 13510286172 鮑先生
圖片:
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