鍛造比：≥4:1， 直線度：≤3mm/1000mm
晶粒度：≥6級 H：≤2.0ppm
非金屬夾雜：粗系值≤2.0 細系值≤2.0
新聞頭條:鍛造25CrMo鍛材鍛打34CrNi3Mo多錢一公斤
直徑公差： -0/ 3mm 表面交貨狀態(tài)：黑皮/磨光/車削
探傷：按GB/T 6402 保一級/二級/。亦可按出口：SEP1921 CL C/C，D/D，E/E。
生產(chǎn)工藝： EAF電弧爐 LF精煉 VD真空脫氣爐（喂Ca-Si線） 鋼錠（底澆注/保護） 鍛造 退火 黑皮（車削） 探傷 兩端鋸齊
熱處理：正火/退火 淬火/回火。 亦可按客戶需求提供所需要的交貨狀態(tài)。
交貨狀態(tài)：大功率電爐（EAF） 爐外精煉（LF） 真空脫氣（VD） 電渣重熔(客戶要求) 快鍛 退火（或正火） 車削(客戶要求)”工藝；
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我公司鄭重承諾如有材料問題，經(jīng)過檢驗確實屬于材料本省的問題，我們解決辦法一、退貨并承擔(dān)相應(yīng)的損失
二、無條件更換并承擔(dān)更換費用。
講信譽，重合同。一次合作，永遠是朋友！
新聞頭條:鍛造25CrMo鍛材鍛打34CrNi3Mo多錢一公斤上述兩類傳感器工作原理為：當(dāng)指紋中的凸起部分置于傳感電容像素電極上時，電容會有所增加，通過檢測增加的電容來進行數(shù)據(jù)采集。傳感器中的像素點為45平方微米，間隔為5微米，電容像素陣列的分辨率略高于5dpi。這類傳感器基于一種標(biāo)準(zhǔn)的單-多晶硅三層金屬CMOS工藝，并采用.5微米工藝進行設(shè)計。金屬互連的第三層構(gòu)成電容像素層，由氮化鈦制成并覆蓋著一層氮化硅，厚度僅為7埃米。這種硬金屬電極與抗磨涂敷層組合形成的傳感器十分堅實耐用，使用壽命可以達到很多年。
