■ DSi200/DSi300硅光電探測(cè)器
| 硅光電探測(cè)器（Si） ———室溫型探測(cè)器，波長范圍：200-1100nm 兩種型號(hào)的探測(cè)器室的外觀相同，其中： ◆ DSi200型內(nèi)裝進(jìn)口紫敏硅光電探測(cè)器 ◆ DSi300型內(nèi)裝國產(chǎn)低暗電流硅光電探測(cè)器 ◆ 推薦配合I-V放大器（型號(hào)：ZAMP）使用 兩種型號(hào)硅光電探測(cè)器的光譜響應(yīng)度曲線圖：(右) |
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技術(shù)指標(biāo)＼型號(hào)名稱 DSi200 紫敏硅探測(cè)器 DSi300 硅探測(cè)器 進(jìn)口紫外增強(qiáng)型 國產(chǎn)低暗電流型 有效接收面積(mm2) 100(Φ11.28) 100(10×10) 波長范圍(nm) 200-1100 300-1100 峰值波長(nm) ------- 800±20 峰值波長響應(yīng)度(A/W) 0.52 >0.4 254nm的響應(yīng)度(A/W) 0.14(>0.09) ------- 響應(yīng)時(shí)間(μs) 5.9 ------- 工作溫度范圍(℃) -10～+60 ------- 儲(chǔ)存溫度范圍(℃) -20～+70 ------- 分流電阻RSH(MΩ) 10(>5) ------- 等效噪聲功率NEP (W/√Hz) 4.5×10-13 ------- 暗電流( ------- 1X10-8—5×10 結(jié)電容(pf) 4500 <3000(-10V) 信號(hào)輸出模式 電流 電流 輸出信號(hào)極性 正（P） 正（P）
型號(hào)列表及主要技術(shù)指標(biāo)：
硅光電探測(cè)器使用建議：
◆ DSi200/DSi300均為電流輸出模式的光電探測(cè)器，在接入示波器、鎖相放大器等要求電壓輸入的信號(hào)處理器前，建議采用I-V跨導(dǎo)放大器ZAMP（Page85做為前級(jí)放大并轉(zhuǎn)換為電壓信號(hào)，標(biāo)明可輸入電流信號(hào)的信號(hào)處理器可直接接入信號(hào)，但仍建議增加前置放大器以提高探測(cè)靈敏度；
◆ DSi200/DSi300配合DCS103數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)（Page95）使用時(shí)，建議采用I-V跨導(dǎo)放大器以提高探測(cè)靈敏度；
◆ DSi200/DSi300配合DCS300PA數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)（Page95）使用時(shí)，由于DCS300PA雙通道已集成信號(hào)放大器，故可不再需要另行選配前置放大器。