| 詳細參數(shù) | |||
|---|---|---|---|
| 品牌/廠家 | 其他 | 安裝類型 | 通孔 |
| 封裝/外殼 | 其他 | 反向恢復(fù)時間 (trr) | 其他 |
蘇 州本地高價回收二手英飛凌三菱IGBT模塊廠家，電話：13381583360
本公司長期回收IGBT模塊、回收新舊英飛凌三菱西門康IGBT模塊，IGBT是以GTR為主導(dǎo)元件，MOSFET為驅(qū)動元件的達林頓結(jié)構(gòu)的復(fù)合器件。其外部有三個電極，分別為G-柵極，C-集電極，E-發(fā)射極。
在IGBT使用過程中，可以通過控制其集-射極電壓UCE和柵-射極電壓UGE的大小，從而實現(xiàn)對IGBT導(dǎo)通/關(guān)斷/阻斷狀態(tài)的控制：
1、當IGBT柵-射極加上加0或負電壓時，MOSFET內(nèi)溝道消失，IGBT呈關(guān)斷狀態(tài)；
2、當集-射極電壓UCE＜0時，J3的PN結(jié)處于反偏，IGBT呈反向阻斷狀態(tài)；
3、當集-射極電壓UCE＞0時，分兩種情況：
1)若柵-射極電壓UGE＜Uth，溝道不能形成，IGBT呈正向阻斷狀態(tài)；
2)若柵-射極電壓UGE＞Uth ，柵極溝道形成，IGBT呈導(dǎo)通狀態(tài)（正常工作）。此時，空穴從P 區(qū)注入到N基區(qū)進行電導(dǎo)調(diào)制，減少N基區(qū)電阻RN的值，使IGBT通態(tài)壓降降低。
