| 詳細(xì)參數(shù) | |||
|---|---|---|---|
| 品牌 | 其他 | 型號(hào) | ZRB-KVVP33 |
| 芯數(shù) | 其他 | 線芯材質(zhì) | 紫銅線 |
| 護(hù)套材質(zhì) | PVC | 絕緣厚度 | 2.0mm |
| 每卷長度 | 1000m | 適用范圍 | 電力 |
| 執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn) | 國標(biāo) | 產(chǎn)品認(rèn)證 | 其他 |
| 加工定制 | 是 | 是否進(jìn)口 | 否 |
| 顏色 | 黑色 | 產(chǎn)地 | 河北 |
礦用控制電纜MKVVP2-22綜合解析
一、天聯(lián)阻燃控制電纜ZRB-KVVP33-11*0.5產(chǎn)品定義與型號(hào)解析
型號(hào)含義?：
MK?：煤礦用電纜；
V?：聚氯乙烯（PVC）絕緣及護(hù)套；
P2?：銅帶屏蔽層；
22?：鋼帶鎧裝雙層護(hù)套結(jié)構(gòu)，增強(qiáng)抗壓能力?。
核心用途?：
煤礦井下控制監(jiān)控回路、保護(hù)線路及電器儀表連接；
適用于交流額定電壓450/750V及以下場(chǎng)景，尤其強(qiáng)電磁干擾、機(jī)械應(yīng)力大的環(huán)境?。
二、天聯(lián)阻燃控制電纜ZRB-KVVP33-11*0.5規(guī)格參數(shù)
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參數(shù)項(xiàng) |
規(guī)格范圍/指標(biāo) |
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?導(dǎo)體截面? |
1.5mm2至10mm2（芯數(shù)4-61芯）?； |
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?絕緣厚度? |
0.6-1.0mm（耐壓≥1.5kV）?； |
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?護(hù)套厚度? |
1.5-2.5mm（阻燃PVC材質(zhì)）?； |
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?外徑范圍? |
10.7mm至78.1mm（依規(guī)格而定）?； |
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?額定電壓? |
450/750V?； |
三、天聯(lián)阻燃控制電纜ZRB-KVVP33-11*0.5核心特性
1. ?阻燃性?：
符合GB/T 18380.3-2008標(biāo)準(zhǔn)，通過垂直燃燒試驗(yàn)，延緩火焰蔓延?。
2. ?抗干擾性?：
銅帶屏蔽層（覆蓋率≥85%），有效井下強(qiáng)電磁干擾?。
3. ?機(jī)械防護(hù)?：
鋼帶鎧裝結(jié)構(gòu)，抗壓強(qiáng)度≥200N，可抵御井下巖石擠壓及設(shè)備沖擊?。
4. ?耐溫性?：
長期工作溫度-40℃～+70℃，短期耐受+90℃高溫?。
5. ?傳輸性能?：
支持高帶寬通信（如視頻監(jiān)控、圖像傳輸），信號(hào)傳輸穩(wěn)定?。
四、天聯(lián)阻燃控制電纜ZRB-KVVP33-11*0.5適用場(chǎng)景
煤礦井下?：通風(fēng)系統(tǒng)、提升機(jī)、輸送帶等設(shè)備的控制信號(hào)傳輸?；
工業(yè)領(lǐng)域?：500kV變電站、冶金高溫多塵環(huán)境、石油化工高危區(qū)域?；
復(fù)雜環(huán)境?：直埋、管道敷設(shè)等需抵御機(jī)械外力及電磁干擾的場(chǎng)景?。
五、技術(shù)參數(shù)與標(biāo)準(zhǔn)
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參數(shù)項(xiàng) |
指標(biāo) |
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?工作溫度? |
長期：-40℃～+70℃；短期：≤+90℃?23； |
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?彎曲半徑? |
鎧裝型≥12倍外徑，非鎧裝型≥6倍外徑?28； |
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?抗拉強(qiáng)度? |
≥200N（護(hù)套抗拉性能）?24； |
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?導(dǎo)體電阻? |
≤75Ω/km（20℃）?24； |
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?絕緣電阻? |
≥5MΩ·km（20℃）?24； |
六、天聯(lián)阻燃控制電纜ZRB-KVVP33-11*0.5選型與采購建議
1. ?供應(yīng)商選擇?：
優(yōu)先天津產(chǎn)區(qū)企業(yè)（如天津市電纜總廠分廠），需核查煤安認(rèn)證（MA標(biāo)志）?；
2. ?安裝要求?：
與高壓電纜保持≥0.5m間距，避免平行敷設(shè)?；
鎧裝型電纜彎曲半徑需≥12倍外徑，防止護(hù)套破損?。
注?：采購時(shí)需提供礦用產(chǎn)品安全標(biāo)志證書（MA認(rèn)證），并確保電纜參數(shù)符合MT818-1999標(biāo)準(zhǔn)?
到這里就很清楚了，無論是低阻態(tài)還是高阻態(tài)都是相對(duì)來說的，把下管子置于截止?fàn)顟B(tài)就可以把GND和I/O口隔離達(dá)到開路的狀態(tài)，這時(shí)候推挽一對(duì)管子是截止?fàn)顟B(tài)，忽略讀取邏輯的話I/O口引腳相當(dāng)于與單片機(jī)內(nèi)部電路開路，考慮到實(shí)際MOS截止時(shí)會(huì)有少許漏電流，就稱作“高阻態(tài)”。由于管子PN節(jié)帶來的結(jié)電容的影響，有的資料也會(huì)稱作“浮空”，通過I/O口給電容充電需要一定的時(shí)間，那么IO引腳處的對(duì)地的真實(shí)電壓和水面浮標(biāo)隨波飄動(dòng)類似了，電壓的大小不僅與外界輸入有關(guān)還和時(shí)間有關(guān)，在高頻情況下這種現(xiàn)象是不能忽略的。
