| 詳細參數(shù) | |||
|---|---|---|---|
| 品牌 | GE | 型號 | IC693APU305RR |
| 結(jié)構(gòu)形式 | 模塊式 | 安裝方式 | 控制室安裝 |
| LD指令處理器 | 硬PLC | I/O點數(shù) | IC693APU305RR |
| 功能 | IC693APU305RR | 工作電壓 | 220V |
| 輸出頻率 | IC693APU305RR | 處理速度 | IC693APU305RR |
| 程序容量 | IC693APU305RR | 數(shù)據(jù)容量 | IC693APU305RR |
| 產(chǎn)品認證 | IC693APU305RR | 環(huán)境溫度 | IC693APU305RR |
| 環(huán)境濕度 | IC693APU305RR | 加工定制 | 否 |
| 重量 | 1.KG | 產(chǎn)地 | 美國 |
| 外形尺寸 | 10*10*5 | ||
市面上常用的DDR內(nèi)存包括DDR（即DDR1）、DDR2、DDR3內(nèi)存。DDR內(nèi)存采用了雙倍并發(fā)，即雙倍速內(nèi)存，同核心頻率下，速度是SDRAM內(nèi)存的2倍；DDR2內(nèi)存采用了四倍并發(fā)，即四倍速內(nèi)存，同核心頻率下，速度是DDR內(nèi)存的2倍，SDRAM內(nèi)存的4倍；DDR3內(nèi)存采用了八倍并發(fā)，即八倍速內(nèi)存，同核心頻率下，速度是DDR2內(nèi)存的2倍，DDR內(nèi)存的4倍，SDRAM內(nèi)存的8倍。舉例而言，如核心頻率為133MHz的SDRAM內(nèi)存，其實際工作頻率也是133MHz；而核心頻率為133MHz的DDR內(nèi)存，其實際工作頻率為133MHz X2=266MHz，即DDR 266MHz內(nèi)存；而核心頻率為133MHz的DDR2內(nèi)存，其實際工作頻率為133MHz X4=533MHz，即DDR2 533MHz內(nèi)存；而核心頻率為133MHz的DDR3內(nèi)存，其實際工作頻率為133MHz X8=1066MHz，即DDR3 1066MHz內(nèi)存。
我們在處理DDR部分的時候都會進行一個拓撲的選擇，一般DDR有T點和Fly-by兩種拓撲結(jié)構(gòu)，那么這兩種拓撲結(jié)構(gòu)的應(yīng)用場景和區(qū)別有哪些呢？
T點拓撲結(jié)構(gòu)：CPU出來的信號線經(jīng)過一個過孔后分別向兩邊進行連接,分叉點一般在信號的中心位置
Fly-by拓撲結(jié)構(gòu)：通常是信號從芯片出來之后先經(jīng)過第一個信號點如何再經(jīng)過第二個信號點依次連接下去，直至結(jié)束
站在我們布線及等長的角度下來說：一般還是建議采用Fly-by拓撲結(jié)構(gòu)，T點在等長時候不太好處理，那么我們在板子空間充足的情況下盡量是考慮T點拓撲結(jié)構(gòu)，這樣信號線的長度也會更短，能更好的保證信號的質(zhì)量，一般我們在四片及四片一下DDR的時候采用T點和Fly-by都是可以的，如果超過四片DDR建議還是采用Fly-by拓撲結(jié)構(gòu)，或者采用T點DDR頂?shù)踪N進行一個處理，頂?shù)踪N的兩片DDR采用T點連接，連接之后再把線拉到DDR的對稱中心處進行T點連接。
站在我們的時序要求角度來說：我們要看DDR是否支持讀寫平衡，如果不支持讀寫平衡的情況下 ，那么我們就不可以采用Fly-by拓撲結(jié)構(gòu)，采用T點結(jié)構(gòu)的好處在于時序信號能同時到達，而采用Fly-by拓撲結(jié)構(gòu)時，支持讀寫平衡的DDR即使在你不能同時到達的情況下，也可以再內(nèi)部進行一個調(diào)整。
