| 詳細(xì)參數(shù) | |||
|---|---|---|---|
| 品牌 | ASML | 型號(hào) | 40224865718阿斯麥 |
| 結(jié)構(gòu)形式 | 模塊式 | 安裝方式 | 現(xiàn)場(chǎng)安裝 |
| LD指令處理器 | 硬PLC | 加工定制 | 否 |
ASML 4022 486 5718阿斯麥
ASML 4022 486 5718阿斯麥
ASML 4022 486 5718阿斯麥：核心技術(shù)參數(shù)全覽在現(xiàn)代半導(dǎo)體制造領(lǐng)域，光刻技術(shù)是推動(dòng)芯片性能提升的關(guān)鍵，而ASML作為全球領(lǐng)先的光刻設(shè)備供應(yīng)商，其產(chǎn)品一直備受矚目。本文將詳細(xì)介紹ASML 4022 486 5718這一型號(hào)的光刻設(shè)備，深入探討其核心技術(shù)參數(shù)，幫助讀者全面了解這款先進(jìn)的光刻機(jī)?；靖攀鯝SML 4022 486 5718是ASML公司推出的一款浸沒式光刻設(shè)備，采用193nm ArF光源，結(jié)合浸沒式技術(shù)，顯著提高了光刻分辨率，適用于先進(jìn)制程的芯片制造。該設(shè)備在保持高生產(chǎn)效率的同時(shí)，還具備出色的穩(wěn)定性和可靠性。核心技術(shù)參數(shù)光源波長(zhǎng)：193nm（ArF）ASML 4022 486 5718采用193nm的ArF光源，這一波長(zhǎng)是當(dāng)前先進(jìn)光刻技術(shù)中的主流選擇，能夠?qū)崿F(xiàn)高分辨率的光刻圖案，滿足先進(jìn)制程的需求。曝光方式：浸沒式光刻通過使用水作為介質(zhì)，浸沒式光刻技術(shù)有效縮短了曝光波長(zhǎng)，提高了光刻分辨率。ASML 4022 486 5718的浸沒式光刻技術(shù)使得設(shè)備能夠在更小的工藝節(jié)點(diǎn)上實(shí)現(xiàn)精確曝光。數(shù)值孔徑（NA）：1.35數(shù)值孔徑是衡量光刻設(shè)備性能的重要參數(shù)之一。ASML 4022 486 5718的數(shù)值孔徑高達(dá)1.35，進(jìn)一步提升了設(shè)備的分辨率，使其能夠處理更復(fù)雜的芯片圖案。分辨率：小于38nm得益于先進(jìn)的光源和曝光技術(shù)，ASML 4022 486 5718能夠?qū)崿F(xiàn)小于38nm的分辨率，滿足當(dāng)前的芯片制造需求。套刻精度：小于2.5nm套刻精度是光刻設(shè)備在多次曝光過程中保持圖案對(duì)準(zhǔn)精度的能力。ASML 4022 486 5718的套刻精度小于2.5nm，確保了芯片制造過程中極高的圖案對(duì)準(zhǔn)精度。生產(chǎn)效率：大于200片/小時(shí)在保持高分辨率和高精度的同時(shí)，ASML 4022 486 5718還具備出色的生產(chǎn)效率，能夠每小時(shí)處理超過200片晶圓，滿足大規(guī)模生產(chǎn)需求。設(shè)備尺寸與重量尺寸：約12m（長(zhǎng)）×6m（寬）×4m（高）重量：約120噸ASML 4022 486 5718的體積和重量較大，體現(xiàn)了其復(fù)雜的技術(shù)和高度的集成化。應(yīng)用領(lǐng)域ASML 4022 486 5718主要應(yīng)用于先進(jìn)邏輯芯片和存儲(chǔ)芯片的制造，特別是在7nm及以下工藝節(jié)點(diǎn)的芯片生產(chǎn)中發(fā)揮著重要作用。其高分辨率和高生產(chǎn)效率使其成為半導(dǎo)體制造行業(yè)不可或缺的設(shè)備之一。結(jié)語ASML 4022 486 5718以其卓越的技術(shù)參數(shù)和穩(wěn)定的性能表現(xiàn)，在全球半導(dǎo)體制造領(lǐng)域占據(jù)著重要地位。通過深入了解其核心技術(shù)參數(shù)，我們可以更好地認(rèn)識(shí)到這款光刻設(shè)備在推動(dòng)芯片技術(shù)進(jìn)步中的重要作用。
