| 詳細(xì)參數(shù) | |||
|---|---|---|---|
| 品牌 | GE | 型號(hào) | IC693ALG223CA |
| 結(jié)構(gòu)形式 | 模塊式 | 安裝方式 | 控制室安裝 |
| LD指令處理器 | 硬PLC | I/O點(diǎn)數(shù) | IC693ALG223CA |
| 功能 | IC693ALG223CA | 工作電壓 | 220V |
| 輸出頻率 | IC693ALG223CA | 處理速度 | IC693ALG223CA |
| 程序容量 | IC693ALG223CA | 數(shù)據(jù)容量 | IC693ALG223CA |
| 產(chǎn)品認(rèn)證 | IC693ALG223CA | 環(huán)境溫度 | IC693ALG223CA |
| 環(huán)境濕度 | IC693ALG223CA | 加工定制 | 否 |
| 重量 | 1.KG | 產(chǎn)地 | 美國(guó) |
| 外形尺寸 | 10*10*5 | ||
在Slow Decay（a）中，Q1和Q4處于導(dǎo)通狀態(tài)。在（b）和（c）中，Q4導(dǎo)通，Q2導(dǎo)通和關(guān)斷。盡管開(kāi)關(guān)的狀態(tài)不同，但由于再生電流也會(huì)經(jīng)由寄生二極管流向關(guān)斷的Q2的MOSFET，因此無(wú)論在哪種情況下，電流都以相同的方式流過(guò)。再生電流則僅是線(xiàn)圈中蓄積的電流流動(dòng)。
（D）Fast Decay的（d）處于導(dǎo)通狀態(tài)，與Slow Decay的狀態(tài)相同。在（e）中，Q2和Q3導(dǎo)通；在（f）中，所有的MOSFET均關(guān)斷，再生電流流經(jīng)導(dǎo)通的Q2和Q3，也會(huì)經(jīng)由寄生二極管流過(guò)關(guān)斷的Q2和Q3，因此在這兩種情況下電流都以相同的方式流過(guò)。電流會(huì)流向電源，但由于電源電壓試圖使電流沿相反方向流動(dòng)，所以電流的衰減加快。
可以根據(jù)以哪種狀態(tài)控制關(guān)斷來(lái)區(qū)分使用“Slow Decay”和“Fast Decay”。
衰減方法的差異與步進(jìn)電機(jī)驅(qū)動(dòng)的關(guān)系
與Fast Decay相比，Slow Decay的電流紋波更小，因此噪聲更小。另外，由于平均電流增加，所以可以增加產(chǎn)生的轉(zhuǎn)矩。但其缺點(diǎn)是如果脈沖頻率變快，波形會(huì)失真，電機(jī)無(wú)法正常旋轉(zhuǎn)。
相反，F(xiàn)ast Decay在噪聲和轉(zhuǎn)矩方面雖然遜色，但對(duì)于高速脈沖頻率，則比Slow Decay更具優(yōu)勢(shì)。
什么是Mix Decay（混合衰減）？
衰減方法基本上是Slow Decay和Fast Decay，不過(guò)還有一種將它們結(jié)合起來(lái)并充分利用兩者優(yōu)點(diǎn)的方法，即Mix Decay。
Mix Decay是以Fast Decay開(kāi)始衰減，然后是Slow Decay。這使得電流衰減比Slow Decay快，而電流紋波比Fast Decay小。這不僅可以維持大轉(zhuǎn)矩，同時(shí)還支持高速脈沖率。某些驅(qū)動(dòng)器IC可以調(diào)整Slow和Fast的時(shí)間比，可優(yōu)化電流波形。
