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產(chǎn)品簡介
DDR5 ECC innodisk內(nèi)存條 M5CV-AGM2MC0P-A
產(chǎn)品價(jià)格:¥面議元/個(gè)
上架日期:2021-11-10
發(fā)貨地:北京 房山區(qū)
供應(yīng)數(shù)量:不限
最少起訂:1個(gè)
瀏覽量:925
詳細(xì)說明
    詳細(xì)參數(shù)
    品牌innodisk型號M5CV-AGM2MC0P-A
    內(nèi)存容量16GB內(nèi)存類型DDR5ECC
    適用類型服務(wù)器內(nèi)存頻率DDR44800
    插腳數(shù)目其他顆粒封裝FBGA

    嵌入式系統(tǒng)系列

    我們的嵌入式系統(tǒng)符合JEDEC內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn),并提供各種不同外觀尺寸、容量、速度,以優(yōu)化嵌入式系統(tǒng)的表現(xiàn)。


    產(chǎn)品特色
    • High Capacity and Speed (Maximum Potential Up to 128GB & 6400MT/s)
    • Single Error Correction and Detection Available
    • Fully Tested and Optimized for Stability and Perbance
    • Uses Original IC to Meet Strict Industrial Standards
    • On module Power Management IC (JEDEC Standard: 1.1V)
    • 30μ” Gold Finger
    • Operating Environment: 0°C ~ 85°C
    概述:

    JESD79-5 DDR5 SDRAM規(guī)范在容量、速度和電壓方面有顯著改進(jìn)。從結(jié)構(gòu)上看,電源管理IC(PMIC)被移動到DIMM上,從而減少了主板上的冗余電源管理電路,以供前幾代中未使用的DIMM插槽使用。DDR5規(guī)格將單個(gè)DDR5 DIMM的 潛在容量提高到128GB,理論上 傳輸速度為6400MT/s,是DDR4的兩倍,同時(shí)功耗提高到1.1V。

    模塊配備了30μ“金手指,另一個(gè)重要的結(jié)構(gòu)變化是雙通道DIMM架構(gòu)。對于DDR5,每個(gè)DIMM有兩個(gè)40位通道(32個(gè)數(shù)據(jù)位加上8個(gè)ECC數(shù)據(jù)位)。兩個(gè)獨(dú)立的子通道提高了內(nèi)存訪問效率,從而提高了速度和效率。

    該模塊符合所有相關(guān)JEDEC標(biāo)準(zhǔn),可提供16GB和32GB容量,如4800MT/s。

    規(guī)格:

    Interface DDR5
    Form Factor ECC UDIMM
    Data Rate 4800 MT/s
    Capacity 16GB, 32GB
    Function ECC Unbuffered Memory
    Pin Number 288pin
    Width 72Bits
    Voltage 1.1V
    PCB Height 1.23 Inches
    Operating Temperature 0°C to 85°C
    30μ” Gold Finger Y
    Anti-Sulfuration Y

    產(chǎn)品料號:

    Density Component
    Comb
    Part Number Rank Voltage Debion
    16GB 2Gx8 M5CV-AGM2MC0P-A 1Rx8 1.1V DDR5 4800 ECC UDIMM
    32GB 2Gx8 M5CV-BGM2MC0P-A 2Rx8 1.1V DDR5 4800 ECC UDIMM



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