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                                                 不銹鋼316L雷達液位計帶遠傳供應商廠家  

         不銹鋼316L高頻雷達料位計發(fā)射能量很低的極短微波脈沖通過天線系統(tǒng)發(fā)射并接收。雷達波以光速運行。運行時間可以通過電子部件被轉換成物位信號。?智能雷達液位計是一種新型的液位計測量儀器。從外觀上看，智能雷達液位計的重要組成部分是它裝有金屬導波棒。當智能雷達液位計發(fā)射出的雷達波沿導波桿傳播到待測氣相介質與液體介質的界面時，由于界面處上下介質介電常數值相差較大，根據時域反射原理，會在界面處反射部分雷達波能量。反射的雷達波將被液位計接收。通過對回波信號的分析，可以得到發(fā)射雷達波和回波雷達波的時間差。然后，通過時間差與光速的乘積，即可計算出待測液位的高度。一種特殊的時間延伸方法可以確保極短時間內穩(wěn)定和準確的測量。即使工況比較復雜的情況下，存在虛假回波，用微處理技術和調試軟件也可以準確的分析出物位的回波。由于儲罐內的攪拌器和罐壁都有可能產生回波，為了不影響測量精度，必須選擇干擾回波圖，即將雷達物位計測量距離與現實距離進行比較。距離太大或太小帶來的干擾誤差都不能用圖消除，只有當檢查距離選擇適中，圖用于當前的測量回波，且范圍由技術人員根據現場的需要來確定。

不銹鋼316L雷達液位計喇叭狀探頭，可勝任極端工況下的物位測量。局部測量條件下， 雷達料位計測量的液體表面會產生泡沫，泡沫會吸收 雷達料位計的脈沖信號，從而影響儀器的正常測量。泡沫塑料按其屬性可分為干、濕、中、重四種。干、濕泡沫塑料的泡沫一般都比較小，能夠反射超聲脈沖信號，因此對 雷達料位計的測量影響很小。但中性泡沫又大又厚，容易吸收，并能分散部分超聲脈沖信號，使信號變弱，造成回波不穩(wěn)定。因此，當液體表面有稠密泡沫時， 雷達料位計的測量就會產生很大的誤差，甚至不能測量。在此情況下，為減少泡沫對測量的不利影響，可采用增設消波管的方法，以減少甚至屏蔽泡沫的干擾。

過程連接：1?" 螺紋, 卡箍連接或法蘭

溫度范圍：-196 至 +450°C (-321 至 + 842°F)

壓力范圍： -1 至 +160bar (-14.5 至 +2,320psi)

測量范圍：40m (131ft), 高級動態(tài)響應70m (230ft)

精度誤差：±2mm

K波段：26GHz或者80GHz
雷達物位計安裝操作事項：安裝時避開進料口,以防止進料反射的虛假信號影響測量。確保電磁波傳播路徑上沒有梯子、水平管道或填充流,注意避免罐壁干擾。避免在又高又窄的集裝箱安裝雷達物位計。喇叭天線端應伸入容器內至少10毫米,以避免連接管末端的強烈反射。為防止儀器損壞,安裝時請注意避免振動、高壓清洗和側向載荷。雷達物位計的多天線安裝應垂直于接口,防止儀器損壞,其與罐壁的距離應大于發(fā)射角波束面積,但為防止虛假回波,應避免安裝在拱形罐中心。雷達物位儀表是近幾年開始普及的測量儀表，它采用了與介質非接觸的測量方式?具有不受溫度、壓力、惰性氣體和蒸汽的影響，也不受被測介質物理特性變化影響等優(yōu)點，在冶金、化工等行業(yè)得到廣泛使用。 

測量的基準面是：螺紋底面或法蘭的密封面測量液體物料時，非接觸雷達物位計(雷達液位計)安裝位置不能設置在有障礙物的正上方，這樣不能測量到低于障礙物的液位。測量液體料位時，若安裝接管，一般情況下，一定要將天線末端伸出接管，這樣才能達到的測量效果。

天線尺寸小，便于安裝；非接觸雷達，無磨損，無污染。幾乎不受腐蝕、泡沫影響；幾乎不受大氣中水蒸氣、溫度和壓力變化影響。嚴重粉塵環(huán)境對高頻物位計工作影響不大。波長更短，對在傾斜的固體表面有更好的反射。測量液體物料時，非接觸雷達物位計(雷達液位計)安裝位置不能設置在有障礙物的正上方，這樣不能測量到低于障礙物的液位。測量液體料位時，若安裝接管，一般情況下，一定要將天線末端伸出接管，這樣才能達到的測量效果。波束角小，能量集中，增強了回波能力的同時又有利于避開干擾物。測量盲區(qū)更小，對于小罐測量也會取得良好的效果。高信噪比，即使在波動的情況下也能獲得更優(yōu)的性能。局部測量條件下， 雷達料位計測量的液體表面會產生泡沫，泡沫會吸收 雷達料位計的脈沖信號，從而影響儀器的正常測量。泡沫塑料按其屬性可分為干、濕、中、重四種。干、濕泡沫塑料的泡沫一般都比較小，能夠反射超聲脈沖信號，因此對 雷達料位計的測量影響很小。但中性泡沫又大又厚，容易吸收，并能分散部分超聲脈沖信號，使信號變弱，造成回波不穩(wěn)定。因此，當液體表面有稠密泡沫時， 雷達料位計的測量就會產生很大的誤差，甚至不能測量。在此情況下，為減少泡沫對測量的不利影響，可采用增設消波管的方法，以減少甚至屏蔽泡沫的干擾。高頻率，是測量固體和低介電常數介質的選擇。