| 詳細(xì)參數(shù) | |||
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| 品牌 | 其他 | 型號(hào) | 其他 |
| 加工定制 | 是 | 特性 | 其他 |
| 功能 | 其他 | 微觀結(jié)構(gòu) | 其他 |
熒光物質(zhì)使用，在第二次世界大戰(zhàn)期間首次制造出高純氧化鈹陶瓷。1946年了解到氧化鈹具有極高的導(dǎo)熱系數(shù)。并且當(dāng)時(shí)主要用在原子核裝置中。直到50年代中期，氧化鈹在電子學(xué)、測(cè)量?jī)x器、通信和航天技術(shù)中出現(xiàn)應(yīng)用。
氧化鈹?shù)娜刍瘻囟确秶鸀?span>2530℃~2570℃，其理論密度為3.02g/BeO作為絕緣材料始于1928年，不過(guò)直到1930年為止，BeO主要是混以其他材料作為㎝3，在真空中可在1800℃下長(zhǎng)期使用，在惰性氣體中可在2000℃下使用，在氧化氣氛中1800℃才揮發(fā)。氧化鈹陶瓷的最突出性能是導(dǎo)熱系數(shù)大，與金屬鋁相近，是氧化鋁6~10倍，是一種具有獨(dú)特的電的、熱的和機(jī)械性能的介質(zhì)材料，沒(méi)有其他任何材料顯示出這樣全面的綜合性能。氧化鈹與其他絕緣材料性能對(duì)比列于表1。
氧化鈹陶瓷因其具有高導(dǎo)熱系數(shù)、高熔度、強(qiáng)度、高絕緣、低電介常數(shù)、低介質(zhì)損耗以及良好的封裝工藝適應(yīng)性等特點(diǎn)，在微波技術(shù)、電真空技術(shù)、核技術(shù)、微電子與光電子技術(shù)領(lǐng)域受到重視和應(yīng)用，尤其是在大功率半導(dǎo)體器件、大功率集成電路、大功率微波真空器件及核反應(yīng)堆中。