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產(chǎn)品簡(jiǎn)介

RCA清洗機(jī)

產(chǎn)品價(jià)格：￥200000.00元/套

上架日期：2020-08-31

發(fā)貨地：江蘇南通市

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詳細(xì)說(shuō)明

詳細(xì)參數(shù)
品牌	其他	型號(hào)	0001
名稱	BOE清洗機(jī)	加工定制	是
外形尺寸	其他	產(chǎn)地	其他

?1) SPM: H2 SO4 /H2O2 ( 120 ～ 150) ℃ SPM 具有很高的氧化能力，可將金屬氧化后溶于清洗液中，并能把有機(jī)物氧化生成 CO2 和 H2O。用 SPM 清洗硅片可去除硅片表面的重有機(jī)沾污和部分金屬，但是當(dāng)有機(jī)物沾污特別嚴(yán)重時(shí)會(huì)使有機(jī)物碳化而難以去除。

?2) HF( DHF) : HF( DHF) ( 20 ～ 25) ℃ DHF 可以去除硅片表面的自然氧化膜，因此，附著在自然氧化膜上的金屬將被溶解到清洗液中，同時(shí) DHF 抑制了氧化膜的形成。因此可以很容易地去除硅片表面的 Al，F(xiàn)e，Zn，Ni 等金屬，DHF 也可以去除附著在自然氧化膜上的金屬氫氧化物。用 DHF 清洗時(shí)，在自然氧化膜被腐蝕掉時(shí)，硅片表面的硅幾乎不被腐蝕。

( 3 ) APM ( SC － 1 ) : NH4OH /H2O2 /H2O ( 30 ～ 80) ℃由于 H2O2 的作用，硅片表面有一層自然氧化膜( SiO2 ) ，呈親水性，硅片表面和粒子之間可被清洗液浸透。由于硅片表面的自然氧化層與硅片表面的 Si 被 NH4OH 腐蝕，因此附著在硅片表面的顆粒便落入清洗液中，從而達(dá)到去除粒子的目的。在 NH4OH 腐蝕硅片表面的同時(shí)，H2O2 又在氧化硅片表面形成新的氧化膜。

( 4) HPM( SC － 2) : HCl /H2O2 /H2O( 65 ～ 85) ℃ 用于去除硅片表面的鈉、鐵、鎂等金屬沾污。在室溫下 HPM 就能除去 Fe 和 Zn。

?5) Ultrapure water( UPW) 通常叫做 DI 水，UPW 采用臭氧化的水稀釋化學(xué)品以及化學(xué)清洗后晶片的沖洗液［3］。

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