| 詳細(xì)參數(shù) |
|---|
品牌：GXDZ
,型號：UPC812C
,封裝：元器件配單,咨詢單價(jià)/起批量,可控硅MOS場效應(yīng)管,二三極管集成電路芯片IC
,批號：新年份
,晶體管極性：二三極管集成IC
,集射極擊穿電壓(VCEO)：MOS場效應(yīng)管單向雙向可控硅
,最大集電極電流(Icm)：鋁電解云母和特氟龍氧化鈮鉭可調(diào)式硅薄膜超級陶瓷陣列網(wǎng)絡(luò)電容器
,電流放大系數(shù)(hFE)：快速標(biāo)準(zhǔn)橋式肖特基超高速整流器陣列整流設(shè)備
,特征頻率：N/P溝道雙路汽車MOSFET陣列模塊場效應(yīng)管
,最大耗散功率：SCR雙向觸發(fā)二極管DIAC高壓觸發(fā)二極管SIDAC雙向晶TRIAC晶閘管
,工作溫度范圍：IGBT模塊JFET雙極BJT 預(yù)偏置雙極 RF開關(guān)達(dá)林頓功率數(shù)字配電阻(RET) 復(fù)合晶體管
,安裝類型：PIN小信號開關(guān)肖特基快恢復(fù)變?nèi)蔟R納穩(wěn)壓TVS瞬變抑制ESD通用功率整流二極管
,應(yīng)用領(lǐng)域：機(jī)械設(shè)備
,TVS ESD：PIN小信號開關(guān)肖特基變?nèi)蔟R納(穩(wěn)壓) TVS瞬變抑制ESD通用功率整流二極管
,單向雙向可控硅：MOS場效應(yīng)管單向雙向可控硅
,MOS場效應(yīng)管：驅(qū)動(dòng)模擬邏輯嵌入式接口時(shí)鐘定時(shí)存儲(chǔ)數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器放大器光耦合器光電耦合器無線射頻仿真器芯片集成電路IC
