| 詳細(xì)參數(shù) | |||
|---|---|---|---|
| 品牌 | D-FIRST | 型號(hào) | RClamp3374N |
| 半導(dǎo)體材料 | 硅 | 芯片類型 | 雙極型 |
| 封裝形式 | 貼片型 | 封裝方式 | 塑料封裝 |
| 外形尺寸 | DFN | 加工定制 | 是 |
| 功耗 | 0 | 產(chǎn)地 | 江蘇 |
TVS二極管專為保護(hù)連接到高速數(shù)據(jù)和傳輸線的敏感元件免受ESD(靜電放電)、CDE(電纜放電事件)和EFT(電快速瞬變)引起的過(guò)電壓而設(shè)計(jì)。獨(dú)特的設(shè)計(jì)結(jié)合了額定，低電容轉(zhuǎn)向二極管，和TVS二極管在一個(gè)單一的封裝。該RClamp3374N設(shè)計(jì)用于更換多達(dá)兩個(gè)組件的董事會(huì)級(jí)GbE保護(hù)。每個(gè)裝置被設(shè)計(jì)來(lái)保護(hù)兩個(gè)線對(duì)。這是通過(guò)在設(shè)備上路由跟蹤來(lái)完成的。以這種方式連接時(shí),設(shè)備可以承受高水平的沖擊電流(40,8/20μs),同時(shí)保持低加載電容的不到5 pF。高過(guò)載能力意味著它可以用于高威脅環(huán)境應(yīng)用,如千兆以太網(wǎng)、電信線路,和LVDS接口。RClamp3374N采用專有的工藝技術(shù)。EPD工藝在硅雪崩二極管工藝上提供了較低的對(duì)峙電壓，顯著降低泄漏電流和電容。它具有3.3 V的真實(shí)工作電壓，提供更好的保護(hù)。RClamp3374N采用10引腳SLP3020N10封裝。其尺寸為3.0毫米x2.0毫米x0.60毫米。鉛是用無(wú)鉛NiPdAu完成的。
特性
內(nèi)部帶有TVS二極管的浪涌額定二極管陣列
用于高速數(shù)據(jù)線的瞬態(tài)保護(hù)
IEC 61000-4-2 (ESD)±30 kV(空氣)，±30 kV(接觸) IEC 61000-4-4 (EFT) 40 A (5 / 50 ns)
IEC 61000-4-5(閃電)40 A(8/20μs)
保護(hù)多達(dá)8行
高速接口的保護(hù)
低電壓鉗位
低工作電壓:3.3 V
固態(tài)硅雪崩技術(shù)
應(yīng)用
10 / 100 / 1000以太網(wǎng) 汽車 中央辦公設(shè)備 LVDS接口 MagJacks /集成磁 筆記本/臺(tái)式機(jī)/服務(wù)器
