| 詳細(xì)參數(shù) | |||
|---|---|---|---|
| 品牌 | D-FIRST | 型號(hào) | DL0522P |
| 半導(dǎo)體材料 | 硅 | 芯片類(lèi)型 | 雙極型 |
| 封裝形式 | 貼片型 | 封裝方式 | 塑料封裝 |
| 外形尺寸 | DFN1610 | 加工定制 | 是 |
DL0522P是一種超低電容TVS（瞬態(tài)電壓抑制器）陣列，設(shè)計(jì)用于在連接到高速數(shù)據(jù)線時(shí)保護(hù)敏感半導(dǎo)體元件免受電應(yīng)力過(guò)大的影響。DL0522P 的超低電容（0.35pF典型I/O到I/O）確保了在tc 3.5GHz以上的數(shù)據(jù)速率下可以忽略信號(hào)衰減。固態(tài)結(jié)構(gòu)確保快速夾緊ESD（靜電放電）、EFT（電快速瞬變）或CDE（電纜放電事件）產(chǎn)生的電過(guò)應(yīng)力瞬變。
■除了超低電容外，DL0522P還提供的浪涌電流能力和的電壓箝位性能。浪涌電流能力（8x20μs）的額定值為5A,箝位電壓低于15V；大約比行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)高33%。此外，1.9的緊箝位比（VCVRWM）（通常為1A）確保了有害瞬態(tài)被快速箝位，并接近電路的正常工作電壓。超緊夾緊比比行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)高30%，確保了對(duì)敏感集成電路的保護(hù)。
DL0522P設(shè)計(jì)用于保護(hù)多達(dá)兩條數(shù)據(jù)線。它封裝在符合RoHS/WEEE標(biāo)準(zhǔn)的6引腳DFN中，具有0.55mm（標(biāo)稱(chēng)）的極低封裝外形。超低電容、高浪涌能力、緊箝位比和低封裝外形的組合使DL0522P成為當(dāng)今ESD敏感、空間受限應(yīng)用的理想選擇。
●特征
ESD保護(hù)符合以下要求：
IEC 61000-4-2，±18kV觸點(diǎn)，±30kV空氣
IEC 61000-4-5（閃電）5A（8/20μs）
IEC 61000-4-4（EFT）40A（5/50ns）
緊密的夾緊比V-C/V-RWM確保了的保護(hù)
高反向浪涌電流，lPP，容量
低怠速電流將待機(jī)功耗降至低
低調(diào)的DFN1610-6封裝
為高速線路優(yōu)化的封裝設(shè)計(jì)
貫穿設(shè)計(jì)
保護(hù)兩條l/O線
低電容：0.35pF典型值（I/O至I/O）
低工作電壓：5V
固態(tài)硅雪崩技術(shù)
硬件上采用USB轉(zhuǎn)RS232芯片CP2104實(shí)現(xiàn)PC與FPGA之間通信。電路中設(shè)計(jì)了一片ESD靜電防護(hù)芯片DL0522P，與轉(zhuǎn)換芯片CP2104一起，可以防止靜電浪涌燒毀FPGA芯片，起到隔離保護(hù)作用。
