| 詳細參數 | |||
|---|---|---|---|
| 品牌 | 其他 | 型號 | 6SN1123-1AA00-0HA1 |
| 芯數 | 其他 | 電壓等級 | 其他 |
| 線芯材質 | 其他 | 護套材質 | 其他 |
| 執(zhí)行標準 | 其他 | 產品認證 | IOS9001-2000 |
| 加工定制 | 否 | 是否進口 | 是 |
| 產地 | 其他 | 顏色 | 其他 |
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT（雙極型三極管）和MOS（絕緣柵型場效應管）組成的復合全控型電壓驅動式功率半導體器件， 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優(yōu)點。GTR飽和壓降低，載流密度大，但驅動電流較大；MOSFET驅動功率很小，開關速度快，但導通壓降大，載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點，驅動功率小而飽和壓降低。
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