| 詳細(xì)參數(shù) | |||
|---|---|---|---|
| 品牌 | 其他 | 型號 | GHW-12Z |
| 結(jié)構(gòu)形式 | 其他 | 安裝方式 | 其他 |
| LD指令處理器 | 其他 | 加工定制 | 否 |
系列：GHW
產(chǎn)品描述
GHW-12Z ENI射頻等離子體發(fā)生器產(chǎn)生射頻等離子體。
特征：
具有自我尋址、自我定位、自動(dòng)I/O檢測等特點(diǎn)。
GHW-12Z ENI射頻等離子體發(fā)生器是一種高性能、高可靠性的射頻電源，專為產(chǎn)生射頻等離子體而設(shè)計(jì)。
GHW-12Z ENI射頻等離子體發(fā)生器采用先進(jìn)的射頻技術(shù)和控制電路，具有快速響應(yīng)、高精度、高穩(wěn)定性等特點(diǎn)。同時(shí)，它還具備自我保護(hù)和故障診斷功能，確保設(shè)備的長期穩(wěn)定運(yùn)行。
GHW50 13.56 MHz、5 kW射頻等離子體發(fā)生器提供經(jīng)過現(xiàn)場驗(yàn)證的可靠性、卓越的穩(wěn)定性和的可重復(fù)性，可實(shí)現(xiàn)高正常運(yùn)行時(shí)間和工藝良率。GHW系列射頻等離子體發(fā)生器可提供208 VAC和400/480 VAC電壓。GHW RF等離子體發(fā)生器非常適合集成電路、平板顯示器和數(shù)據(jù)存儲(chǔ)設(shè)備制造過程中的等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積(PECVD)、高密度等離子體CVD(HDPCVD)、蝕刻和其他薄膜應(yīng)用。
應(yīng)用領(lǐng)域
GHW-12Z ENI射頻等離子體發(fā)生器廣泛應(yīng)用于主要應(yīng)用于半導(dǎo)體行業(yè)、材料科學(xué)、生物醫(yī)學(xué)等領(lǐng)域，如等離子體刻蝕、薄膜制備、表面處理等。
