| 詳細參數(shù) | |||
|---|---|---|---|
| 加工類型 | 激光切割 | 工件材質(zhì) | 硅片 |
| 加工產(chǎn)品范圍 | 電子元件 儀表 其他 | 打樣周期 | 1-3天 |
| 加工周期 | 4-7天 | 年最大加工能力 | 1000 |
| 年剩余加工能力 | 1000 | ||
單晶硅異形切割晶圓盲孔盲槽定制加工
隨著硅半導體集成電路的廣泛應用，硅半導體集成電路都要用到晶圓，傳統(tǒng)的晶圓切割方法，都是手工采用金剛石刀進行切割，在晶圓上劃分出若干個圓環(huán)，在劃分出的圓環(huán)上切割出面積相等或者近似相等的小圓弧體。或者采用的是非均勻圓環(huán)、同一圓心角內(nèi)進行切割的切割方法，這種晶圓切割方法的耗材大，經(jīng)常要更換刀具，切割出來的晶圓芯片相距的寬度比較大，不均勻，所能切割的材料單一，適用性差，效率低下。
因此晶圓激光切割的方法工作效率高、能精確地調(diào)整待切割晶圓的各個方向的位置、精度高、全自動運行，對晶圓切割的位置進行準確定位，切割出來的晶圓芯片均勻、美觀，能切割多種材料，適應性強，可以避免薄晶圓因切割破裂。
華諾激光業(yè)務范疇包括前期的方案可行性研究和新制程開發(fā)服務、中期小規(guī)模試產(chǎn)和論證、后期的規(guī)模化量產(chǎn)業(yè)務外包等，華諾激光致力于成為國內(nèi)激光精密微加工和微制造的**者，為客戶提供定制化、低成本和完善的**激光加工解決方案。
1.激光切割、劃片是非機械式的，屬于非接觸式加工，可以避免出現(xiàn)芯片破碎和其他損壞現(xiàn)象。
2.激光切割、劃片采用的高光束質(zhì)量的光纖激光器對芯片的電性影響較小，可以提高*高的切割成品率。
3.激光切割速度為150mm/s。切割速度較快。
4.激光可以切割厚度較薄的晶圓，可以勝任不同厚度的晶圓劃片。
5.激光可以切割一些較為復雜的晶圓芯片，如六邊形管芯等。
6.激光切割不需要去離子水，不存在磨損問題，可連續(xù)24小時作業(yè)。
7.激光具有很好的兼容性，對于不同的晶圓片，激光切割具有*好的兼容性和通用性。
梁工
