| 詳細參數(shù) | |||
|---|---|---|---|
| 品牌 | behlke | 型號 | SCR |
| 種類 | 電阻測量儀表 | 用途 | 開關(guān)特性測試儀 |
| 功率 | 10W | 溫度 | 15 ℃ |
| 結(jié)構(gòu)型式 | 臺式 | 適用范圍 | 工廠 |
| 產(chǎn)品認證 | UL | 加工定制 | 否 |
| 是否進口 | 是 | 外形尺寸 | 360mm*280mm*300mm |
| 產(chǎn)地 | 北京 | ||
behlke高壓開關(guān)
開關(guān)，電流取決于導通時間，可控硅晶閘管。 千安應(yīng)用，充電和放電，撬棍。
開關(guān)，固定導通時間，標準，MOSFET。一般脈沖應(yīng)用、充電和放電、脈沖電場。
開關(guān)，固定導通時間， 高di/dt，MOSFET。大電流、高頻、的突發(fā)能力、快速充放電。
開關(guān)，固定導通時間，超快， MOSFET 。大電流、高di/dt 、中低頻、超快充放電。
開關(guān)，固定導通時間，低導通電阻，溝槽 FET。 大電流，中速充放電。
開關(guān)，可變導通時間，標準，MOSFET。 一般脈沖和開關(guān)應(yīng)用，快速上升時間，高頻。
開關(guān)，可變導通時間，高 di/dt，MOSFET。 ^ hIGH在中等頻率的電流，快速上升時間。
開關(guān)，可變導通時間，低電容，MOSFET。 低耦合電容。LC2 拓撲結(jié)構(gòu)具有出色的瞬態(tài)抗擾度。
開關(guān)，可變導通時間，低導通電阻，碳化硅 FET 和溝槽 FET。 高電流、低導通損耗
開關(guān)，可變導通時間，交流 MOSFET。pos的雙向開關(guān)。＆否定。電壓無極變化。交流高達 5 MHz。
開關(guān)，可變導通時間，IGBT。中等頻率下的高 di/dt 和電流能力。真正的通斷開關(guān)。
開關(guān)，可變導通時間，MCT 晶閘管。 中等頻率下的高 di/dt 和電流能力。真正的通斷開關(guān)。
開關(guān)，可變導通時間，推挽，MOSFET。半橋配置中的兩個開關(guān)路徑。真正的方波脈沖。
開關(guān)，可變導通時間，交流推挽，MOSFET。無極性變化的正負電壓半橋。
高壓脈沖發(fā)生器單元。實驗室脈沖發(fā)生器單元、特殊用途的 OEM 脈沖發(fā)生器單元、普克爾斯電池驅(qū)動器。
