| 詳細(xì)參數(shù) |
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品牌：西門(mén)子
外型：塊狀
濾波器：無(wú)
控制方式：電流矢量
產(chǎn)品系列：GH180
直流電源性質(zhì)：電流型
輸出電壓調(diào)節(jié)方式：PAM
外形尺寸（寬x高x厚）：8*3*2CM
重量：0.5KG
功率因數(shù)：>0.95
營(yíng)銷(xiāo)方式：代理
電源相數(shù)：三相
運(yùn)輸溫度：-25~+60℃
海拔高度 ：3300英尺
可售賣(mài)地：北京;天津;河北;山西;內(nèi)蒙古;遼寧;吉林;黑龍江;上海;江蘇;浙江;安徽;福建;江西;山東;河南;湖北;湖南;廣東;廣西;海南;重慶;四川;貴州;云南;西藏;陜西;甘肅;青海;寧夏;新疆
型號(hào)：LDZ10501431
熔斷器的保護(hù)特性亦可稱(chēng)熔化特性，它是熔斷器的主要特性。熔化特性表征通過(guò)熔體的電流與熔體熔化時(shí)間的關(guān)系，它和熱繼電器的保護(hù)溫度特性一樣，都是反時(shí)限的。熔斷器的保護(hù)特性中有一熔斷電流與不熔斷電流的分界線(xiàn)，與此相應(yīng)的電流就是最小熔化電流R。它是這樣一個(gè)電流值，當(dāng)通過(guò)熔體的電流等于它時(shí)，熔體在額定電流下絕對(duì)不應(yīng)熔斷，故R>e。最小熔化電流與熔體的額定電流之比稱(chēng)為溶化系數(shù)B,它是表征熔斷器保護(hù)小倍數(shù)過(guò)載時(shí)的靈敏度的指標(biāo)。從過(guò)載保護(hù)的觀點(diǎn)來(lái)看，B小，對(duì)小倍數(shù)過(guò)載有利。例如，從電纜和電動(dòng)機(jī)的過(guò)載保護(hù)來(lái)看，值宜在1.2~1.4之間。如果B值小到接近于1，則不僅在熔體1e下的工作會(huì)過(guò)高，而且還有可能因安一秒特性本身的誤差而發(fā)生熔體在下也熔斷的現(xiàn)象，這就影響了熔斷器工作的可靠性。
高壓變頻器運(yùn)行中的很多異常故障都與變頻器本身的抗干擾能力有很大的關(guān)系。高壓變頻器由于功率比較大，自身是一個(gè)強(qiáng)干擾源，它的輸入與輸出電流中都含有很多諧波成分，這些諧波除了會(huì)對(duì)電網(wǎng)設(shè)備和電動(dòng)機(jī)產(chǎn)生不利影響外，還會(huì)以各種方式把能量傳播出去，一方面形成對(duì)其他設(shè)備的干擾，同時(shí)也會(huì)對(duì)自身的控制系統(tǒng)形成干擾。
上海乃諧電氣設(shè)備有限公司經(jīng)過(guò)理解和吸收國(guó)內(nèi)外先進(jìn)管理理念的基礎(chǔ)上結(jié)合公司在國(guó)內(nèi)的實(shí)際商業(yè)和工業(yè)環(huán)境，作出適于國(guó)內(nèi)環(huán)境的服務(wù)流程和產(chǎn)品優(yōu)化供應(yīng)方案。更強(qiáng)調(diào)把這些先進(jìn)的理念應(yīng)用于具體的執(zhí)行上，以“團(tuán)隊(duì)精神、專(zhuān)業(yè)高效、持續(xù)改進(jìn)”為服務(wù)客戶(hù)的宗旨，培養(yǎng)出了“召之即來(lái)，來(lái)之能戰(zhàn)，戰(zhàn)之能勝”的專(zhuān)業(yè)服務(wù)團(tuán)隊(duì)。
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LDZ094726C |
PTC OVER TEMP. PROTECTOR |
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LDZ094595C |
PTC OVER TEMP. PROTECTOR |
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A1A094726 |
PTC OVER TEMP. PROTECTOR |
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A1A094595 |
PTC OVER TEMP. PROTECTOR |
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LDZ10500424.040 |
GEN4 CELL ASSEMBLY KIT 40A |
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LDZ10500424.070 |
GEN4 CELL ASSEMBLY KIT 70A |
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LDZ10500424.100 |
GEN4 CELL ASSEMBLY KIT 100A |
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LDZ10500424.140 |
GEN4 CELL ASSEMBLY KIT 140A |
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LDZ10500494.200 |
GEN4 CELL ASSEMBLY KIT 200A |
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LDZ10500494.260 |
GEN4 CELL ASSEMBLY KIT 260A |
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A5E33094595（A5E33115305) |
G4 CELL |
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A5E32855090（A5E33115306) |
G4 CELL |
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A5E33096198（A5E33115308) |
G4 CELL |
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A5E32539903（A5E33115309) |
G4 CELL |
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A5E35494212 |
G4 CELL |
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LDZ10506547 replaced LDZ10506536 |
FUSE SEMICONDUCTOR 100A 1000V |
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LDZ10506548 replaced LDZ10506537 |
FUSE SEMICONDUCTOR 160A,1000V |
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LDZ10506549 replaced LDZ10506538 |
FUSE SEMICONDUCTOR 200A,1000V |
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LDZ10506539 |
FUSE SEMICONDUCTOR,250A,1000V |
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A5E02547653 replaced LDZ10506540 |
FUSE_DEVICE_450A_1.25kV |
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A5E31476702 |
FUSE |
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A5E31476700 |
FUSE |
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A5E31476394 |
FUSE |
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A5E31556481 |
FUSE |
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LDZ10501376 |
CURR TRNSDCR,CLSD LOOP,2000A |
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A1A093207 |
DEIONIZE-MIXED BED TYPE |
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A1A461J63.01250H |
WCLL POWER CELL |
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A1A10000313.00 |
ASSY,BASIC CHASSIS,NXG,8 SLOT |
