| 詳細(xì)參數(shù) | |||
|---|---|---|---|
| 品牌 | ENI | 型號(hào) | GHW-12Z |
| 結(jié)構(gòu)形式 | 模塊式 | 安裝方式 | 控制室安裝 |
| LD指令處理器 | 硬PLC | 功能 | 射頻等離子發(fā)生器 |
| 工作電壓 | 200/208VAC | 輸出頻率 | 13.56MHz |
| 處理速度 | 500MHzPowerPC | 程序容量 | 500M |
| 產(chǎn)品認(rèn)證 | CE | 環(huán)境溫度 | 0°Cto,60°C |
| 環(huán)境濕度 | 0到90%的相對(duì)濕度,無(wú)冷凝 | 加工定制 | 否 |
| 重量 | 14.8公斤 | 外形尺寸 | 89x483x508毫米 |
ENI GHW-12Z 射頻等離子發(fā)生器
型號(hào)
型號(hào) GHW-12Z
MN GHW12Z-13DF2NH-002
PN 0190-25530
特性
輸出功率 1250W
頻率 13.56MHz
技術(shù)規(guī)格
類(lèi)型射頻等離子發(fā)生器
頻率13.56 兆赫±0.005%
動(dòng)態(tài)功率范圍10 - 1250 瓦
功率輸出1.25 千瓦
負(fù)載阻抗范圍無(wú)限
射頻穩(wěn)定性/雜散輸出無(wú)條件穩(wěn)定運(yùn)行范圍內(nèi)的任何負(fù)載 <-45dBc
諧波輸出和失真<-40dBc
負(fù)載失配保護(hù)在反向功率達(dá)到預(yù)編程水平 = 額定功率的 16% 后，自動(dòng)正向功率限制通常為 0.25 毫秒。
監(jiān)管容忍度>125 瓦：±1.5% SP，<125 瓦：±3.0 瓦
輸入交流電源200/208 VAC, 3/PE~ (3W+G) 14 A/相, 380/400 VAC, 3/PE~ (3W+G) 7.5 A/相
GHW50 13.56 MHz、5 kW、RF 等離子發(fā)生器提供經(jīng)過(guò)現(xiàn)場(chǎng)驗(yàn)證的可靠性、卓越的穩(wěn)定性和的可重復(fù)性，以實(shí)現(xiàn)高正常運(yùn)行時(shí)間和工藝良率。GHW 系列射頻等離子發(fā)生器可提供 208 VAC 和 400/480 VAC。GHW RF 等離子發(fā)生器非常適用于集成電路、平板顯示器和數(shù)據(jù)存儲(chǔ)設(shè)備制造過(guò)程中的等離子增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積 (PECVD)、高密度等離子 CVD (HDPCVD)、蝕刻和其他薄膜應(yīng)用。所有 MKS Instruments 的射頻發(fā)生器都經(jīng)過(guò) NRTL 認(rèn)證和 CE 標(biāo)志
The ghw50 13.56 MHz, 5 kW, RF plasma generator provides field proven reliability, excellent stability and unparalleled repeatability to achieve high uptime and process yield. GHW Series RF plasma generator can provide 208 VAC and 400 / 480 vac. GHW RF plasma generator is very suitable for plasma enhanced chemical vapor deb (PECVD), high density plasma CVD (HDPCVD), etching and other thin film applications in the manufacturing of integrated circuits, flat panel displays and data storage devices. All the RF generators of MKS instruments are NRTL certified and CE marked
