類別 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - FET,MOSFET - 單個 制造商 Toshiba Semiconductor and Storage 系列 U-MOSVIII-H 包裝 卷帶(TR) 剪切帶(CT) Digi-Reel® 得捷定制卷帶 零件狀態(tài) 在售 FET 類型 N 通道 技術(shù) MOSFET(金屬氧化物) 漏源電壓(Vdss) 80 V 25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id) 60A(Tc) 驅(qū)動電壓(Rds On,最小 Rds On) 10V 不同 Id、Vgs 時導(dǎo)通電阻(值) 4 毫歐 @ 30A,10V 不同 Id 時 Vgs(th)(值) 4V @ 1mA 不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)(值) 59 nC @ 10 V Vgs(值) ±20V 不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)(值) 5300 pF @ 40 V FET 功能 - 功率耗散(值) 1.6W(Ta),78W(Tc) 工作溫度 150°C(TJ) 安裝類型 表面貼裝型 供應(yīng)商器件封裝 8-SOP Advance(5x5) 封裝/外殼 8-PowerVDFN