晶圓減薄 晶圓拋光 晶圓背拋 Wafer Grinding
晶圓減薄作用:
1.通過(guò)減薄/研磨的方式對(duì)晶片襯底進(jìn)行減薄，改善芯片散熱效果。
2.減薄到一定厚度有利于后期封裝工藝。
常規(guī)工藝:
減薄/拋光到80-100um
粗糙度: 5-20nm
平整度: ±3um
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