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重慶醫(yī)院EPS應(yīng)急電源8KW9KW10KW廠家直銷
發(fā)布者:k18410402529  發(fā)布時間:2021-05-07 12:11:03

重慶EPS應(yīng)急電源8KW9KW10KW廠家直銷
EPS消防應(yīng)急電源

??(EPS消防應(yīng)急電源分單相和三相)

??一、使用范圍

??1 用于各種場合的應(yīng)急照明和不能斷電的重要設(shè)備。

??2 應(yīng)急照明:、學(xué)校、商場、廣場、車部、工廠、會展中心、人防通道及體育館、隧道燈。

??3 重要用電設(shè)備:交易大屏、監(jiān)控裝置、機具、雷達、設(shè)備等。

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我見過一個傳真過來的原理圖,怎么都看不出走線是否只是交叉而不是連接在一起。結(jié)果我猜錯了,這浪費了我時間。如果所有原理圖都用跳接,“沒有4向結(jié)點”規(guī)則就沒那么重要了。令我高興的是,版本的Altium/CircuitStudio可以顯示跳接,并能自動防止生成4向結(jié)點()。:像我這樣的老人在走線間沒有連接關(guān)系時喜歡采用跳接的方式。需要的是,4向結(jié)點是原理圖中的禁忌。Altium/CircuitStudio有產(chǎn)生跳接的選項,也有設(shè)置走線偏移消除交叉結(jié)點的功能,比如這個芯片的GND連接處所示。

??二 產(chǎn)品原理

??WZ-D系列應(yīng)急照明集中電源,是為建筑物內(nèi)緊急疏散照明或者重要設(shè)備集中供電的應(yīng)急備用電源設(shè)備。

??當市電正常時,由市電經(jīng)過互投裝置給負載供電,同時充電器給備用蓄電池組進行智能充電。當市電斷電,或超過正常電壓的20%時,由控制器逆變信號,啟動逆變電源,同時互投裝置將立即投切至逆變電源輸出,繼續(xù)正玄數(shù)交流電,當市電電壓正常后,應(yīng)急電源將自動網(wǎng)供電。
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當在陽極施加負電荷后,會阻擋電子的運動,這樣就不會形成電流,這就是二極電子管的工作原理,它有很好的單向?qū)щ娦?,這一點上比晶體二極管要強,但其可以的電流較小,陽極電壓較高。用它的這個特性可以用來整流,為了發(fā)揮其整流效果,人們將陽極做成兩個這樣就可以組成雙二極管,共用一個陰極,可以用來做全波整流。三極電子管:在二極電子管的陽極和陰極之間靠近陰極的地方加裝第三電極g(柵極),就形成了三極管。利用柵極來控制陰極向陽極發(fā)射電子的數(shù)量。

??三 產(chǎn)品特點

??1 采用集中供電模式,無需特殊燈具

??2雙路電源自動切換,可靠性高

??3 壽命長,主機壽命20年以上

??4 采用CPU控制,保證各動作點準確

??5 LCD顯示和聲音告警,工作狀態(tài)一目了然

??6 具有過壓、欠壓、過溫、過流、短路等保護功能

??7 智能電池充電功能,可實現(xiàn)均浮充自動轉(zhuǎn)換、有延長電池壽命

??8 自動監(jiān)控電池工作狀態(tài),具有電池充放自動保護

??9 具有消防聯(lián)動功能,可透過RS232或者RS485接口,可實現(xiàn)遠程監(jiān)控

??10 模塊化結(jié)構(gòu)設(shè)計,維護方便。

??四 具體規(guī)格

??0.5、1、1.5、2、3、4、5、6、7、8、9、10kw等

??五 備用時間

??可按設(shè)計配置,如30、60、90、120、180分鐘

??六 安裝形式

??落地式、掛式、嵌式
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當計時到達設(shè)定值90(9s)時,T0常開觸點上出現(xiàn)方塊(觸點閉合),Y001線圈出現(xiàn)方塊(線圈得電)用導(dǎo)線將PLC的X001端子與COM端子短接,梯形圖中的X001常閉觸點上方塊的方塊消失,表示已斷開,Y000線圈上的方塊上消失,表示失電。Y000常開自鎖觸點上的方塊消失,表示斷開,定時器線圈T0上的方塊消失,停止計時并將當前計時值清0,T0常開觸點上的方塊消失,表示觸點斷開,X001常開觸點上有方塊,表示該觸點處于閉合。
MOS管型防反接保護電路利用了MOS管的開關(guān)特性,控制電路的導(dǎo)通和斷開來設(shè)計防反接保護電路,由于功率MOS管的內(nèi)阻很小,現(xiàn)在MOSFETRds(on)已經(jīng)能夠做到毫歐級,解決了現(xiàn)有采用二極管電源防反接方案存在的壓降和功耗過大的。極性反接保護將保護用場效應(yīng)管與被保護電路串聯(lián)連接。保護用場效應(yīng)管為PMOS場效應(yīng)管或NMOS場效應(yīng)管。若為PMOS,其柵極和源極分別連接被保護電路的接地端和電源端,其漏極連接被保護電路中PMOS元件的襯底。

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