高碳鉻軸承鋼制軸承零件經馬氏體淬回火后,顯微組織由馬氏體、殘留奧氏體及均勻分布的細小碳化物組成。GCr15鋼制軸承零件中殘留奧氏體含量一般為15%左右,而GCr15SiMn鋼制軸承零件中殘留奧氏體含量一般超過20%。殘留奧氏體是亞穩(wěn)定相,較高的殘留奧氏體含量會導致工件在使用過程中尺寸發(fā)生變化、精度降低,極大地縮短軸承的使用壽命。
隨著用戶對產品質量的要求越來越高,很多軸承廠家不僅對組織硬度等指標嚴格要求,對其殘留奧氏體含量也作出嚴格控制,國外軸承廠家對這方面要求尤為嚴格,一般要求殘留奧氏體含量在3%以下。在處理尺寸較小、壁厚較薄的GCr15鋼制軸承滾子時,冷處理或深冷處理基本上能夠達到要求;但在處理GCr15SiMn鋼制軸承滾子時卻很難達到要求。為滿足客戶的要求,我們有必要開發(fā)一種更為有效的降低殘留奧氏體含量的方法。
1.殘留奧氏體產生的原因
軸承鋼在淬火過程中,從Ms點溫度開始奧氏體向馬氏體轉變,一直到Mf點溫度以下奧氏體向馬氏體轉變完成,常用軸承鋼的Mf點都在室溫以下,但低于Mf點馬氏體轉變不會繼續(xù)進行。奧氏體不會完全轉變,會殘留一部分奧氏體不發(fā)生轉變。這是因為轉變完成的馬氏體會對周圍的奧氏體的繼續(xù)轉變產生阻礙作用,馬氏體在轉變時發(fā)生體積膨脹,產生很大的壓應力,使剩余的奧氏體在轉變時,要克服壓應力做功,這樣就阻礙了殘留奧氏體的進一步轉變。
2.試驗材料及工藝
試驗材料為GCr15SiMn,規(guī)格φ30mm×30mm,其化學成分如表1所示。技術要求:硬度61~65HRC,殘留奧氏體含量≤3%,其余要求按JB/T1255—2014執(zhí)行。
表1 GCr15SiMn化學成分(質量分數)檢測結果 (%)
C |
Si |
Mn |
S |
P |
Cr |
0.97 |
0.54 |
1.02 |
0.009 |
0.003 |
1.45 |
試驗采用愛協林鹽淬多用爐,淬火工藝采用820℃保溫75min出爐鹽浴淬火,鹽浴溫度為170℃,等溫時間50min。隨后采用不同的回火及冷處理溫度進行處理,工藝曲線及具體工藝方案如附圖及表2所示。
表2 熱處理工藝
編號 |
淬火 |
回火及冷處理 |
1 |
820℃保溫70min,鹽浴淬火,中速攪拌 |
170℃回火4h |
2 |
200℃回火4h |
|
3 |
220℃回火4h |
|
4 |
240℃回火4h |
|
5 |
-70℃冷處理1h,170℃回火4h |
|
6 |
-70℃冷處理2h,170℃回火4h |
|
7 |
-196℃冷處理1h,170℃回火4h |
|
8 |
-196℃冷處理2h,170℃回火4h |
|
9 |
-196℃冷處理1h,200℃回火4h |
|
10 |
-196℃冷處理1h,220℃回火4h |
3.結果及分析
(1)常規(guī)回火及二次高溫回火
經淬火后采用170℃回火,并再次200℃、220℃及240℃分別回火,如表2中1~4號工藝。隨后對組織、硬度及殘留奧氏體含量進行檢測,常規(guī)及二次高溫回火后檢測結果如表3所示??梢园l(fā)現,經普通回火后,組織、硬度雖然能夠滿足技術要求,但是殘留奧氏體含量達到了16%。而采用二次高溫回火會明顯減低殘留奧氏體含量,隨著溫度提高,殘留奧氏體含量逐漸減少,當回火溫度提高到240℃時,殘留奧氏體含量基本在0.9%以下。
據研究,高溫回火能降低殘留奧氏體含量的原因有兩個:一方面高溫度回火能夠促進奧氏體中碳化物和合金元素的析出,從而提高馬氏體轉變的Mf點,從而促進殘留奧氏體向馬氏體的轉變;另一方面高溫回火會消除前期奧氏體向馬氏體轉變產生的應力,降低奧氏體向馬氏體轉變的阻礙作用。但采用高溫回火會降低工件的硬度,從表3中可以發(fā)現,240℃回火時硬度會降低2HRC左右。
表3 常規(guī)及二次高溫回火后檢測結果
工藝編號 |
組織 |
表面硬度HRC |
心部硬度HRC |
殘留奧氏體含量(%) |
1 |
M:4級,T:無 |
63.1 |
62.3 |
16 |
2 |
M:3級,T:無 |
62.6 |
61.5 |
6.3 |
3 |
M:3級,T:無 |
61.8 |
60.5 |
3.8 |
4 |
M:3級,T:無 |
61.3 |
60.2 |
0.9 |
(2)冷處理或深冷處理+常規(guī)回火
采用冷處理是利用冷凍箱把工件冷卻到-70℃左右;或采用深冷處理,用液氮把工件冷卻到-196℃左右,這樣工件殘留奧氏體會明顯減少,深冷處理時效果尤為明顯,關于這方面的研究很多。
采用5~8號工藝,檢測結果如表4所示。用這種方法處理GCr15鋼制工件時殘留奧氏體含量基本能控制在3%以下,但是處理GCr15SiMn材料時,卻很難滿足要求,一般控制在4%~6%,硬度會提高2HRC。
表4 冷處理或深冷處理+常規(guī)回火檢測結果
工藝編號 |
組織 |
表面硬度HRC |
心部硬度HRC |
殘留奧氏體含量(%) |
5 |
M:3級,T:無 |
64.5 |
63.0 |
5.8 |
6 |
M:3級,T:無 |
64.1 |
63.4 |
5.5 |
7 |
M:3級,T:無 |
64.1 |
63.7 |
4.3 |
8 |
M:3級,T:無 |
64.4 |
63.3 |
3.7 |
(3)采用冷處理+高溫回火
結合上述兩種處理方式的優(yōu)缺點,在保證殘留奧氏體含量及硬度都能合格的前提下,采用冷處理+高溫回火的方式控制殘留奧氏體含量,具體工藝如表2中9號、10號工藝所示。檢測結果如表5所示,可以發(fā)現,采用10號工藝能夠控制殘留奧氏體含量及硬度在技術指標范圍內。
表5 冷處理或深冷處理+常規(guī)回火檢測結果
工藝編號 |
組織 |
表面硬度HRC |
心部硬度HRC |
殘留奧氏體含量(%) |
9 |
M:3級,T:無 |
63 |
61.9 |
2.9 |
10 |
M:3級,T:無 |
62.4 |
61.5 |
1.2 |
4.結語
采用冷處理+高溫回火的方式,能夠克服單獨采用冷處理或高溫回火降低殘留奧氏體含量的缺點,在實現高硬度的前提下,保證殘留奧氏體含量降低到3%以下。