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KRI 考夫曼射頻離子源 RFICP140 濺射沉積 BCx 薄膜
發(fā)布者:bdqysh  發(fā)布時(shí)間:2021-01-21 16:08:57

蘭州某研究所在研究 BCx 薄膜的結(jié)構(gòu)特征、力學(xué)性能和摩擦磨損性能試驗(yàn)中采用伯東 KRI 考夫曼射頻離子源 RFICP140 作為濺射源濺射碳化硼靶和石墨靶(純度均為99.9%, CrMoAl 齒輪鋼和 Si100)表面沉積 BCx 薄膜

 

伯東 KRI 考夫曼射頻離子源 RFICP140 技術(shù)參數(shù):

型號(hào)

RFICP140

Discharge

RFICP 射頻

離子束流

>600 mA

離子動(dòng)能

100-1200 V

柵極直徑

14 cm Φ

離子束

聚焦平行散射

流量

5-30 sccm

通氣

Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他

典型壓力

< 0.5m Torr

長度

24.6 cm

直徑

24.6 cm

中和器

LFN 2000

 

試驗(yàn)結(jié)論:

相同的沉積時(shí)間內(nèi), BCx 薄膜的厚度隨石墨靶電流的增加逐漸增大硬度、彈性模量逐漸降低,微觀形貌的柱狀結(jié)構(gòu)特征越來越明顯;增加石墨靶電流可以提高BCx薄膜的摩擦學(xué)性能當(dāng)石墨靶電流為 2.4A 時(shí), BCx 薄膜的摩擦因數(shù)穩(wěn)定在 0.2 左右且具有較佳的耐磨性能。

 

KRI 離子源的獨(dú)特功能實(shí)現(xiàn)了更好的性能增強(qiáng)的可靠性和新穎的材料工藝. KRI 離子源已經(jīng)獲得了理想的薄膜和表面特性而這些特性在不使用 KRI 離子源技術(shù)的情況下是無法實(shí)現(xiàn)的.

 

KRI 離子源是領(lǐng)域公認(rèn)已獲得許多專利. KRI 離子源已應(yīng)用于許多已成為行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的過程中.

 

伯東是德國 Pfeiffer 真空泵檢漏儀質(zhì)譜儀真空計(jì)美國 KRI 考夫曼離子源美國HVA 真空閥門美國 inTEST 高低溫沖擊測(cè)試機(jī)美國 Ambrell 感應(yīng)加熱設(shè)備和日本 NS 離子蝕刻機(jī)等進(jìn)口知名品牌的代理商.

 

若您需要進(jìn)一步的了解詳細(xì)信息或討論請(qǐng)參考以下聯(lián)絡(luò)方式:

上海伯東羅先生                               臺(tái)灣伯東王女士
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