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KRI 考夫曼射頻離子源 RFICP220 濺射沉積制備碳薄膜
發(fā)布者:bdqysh  發(fā)布時間:2021-01-20 16:05:42

北京某研究院采用伯東 KRI 考夫曼射頻離子源 RFCIP220 濺射沉積制備碳薄膜同時在室溫和無催化層襯底的條件下探究離子束能量和沉積時間對碳納米薄膜成膜的影響.

 

伯東 KRI 射頻離子源 RFICP220 技術參數(shù):

離子源型號

RFICP220

Discharge

RFICP 射頻

離子束流

>800 mA

離子動能

100-1200 V

柵極直徑

20 cm Φ

離子束

聚焦,  平行,  散射

流量

10-40 sccm

通氣

Ar,  Kr,  Xe,  O2,  N2,  H2,  其他

典型壓力

< 0.5m Torr

長度

30 cm

直徑

41 cm

中和器

LFN 2000

可選燈絲中和器可變長度的增量

KRI 射頻離子源 RFICP 220

濺射沉積在氣壓為 1.33×10-4Pa 和襯底溫度為室溫條件下,利用 KRI 考夫曼射頻離子源 RFCIP220 濺射石墨在無催化層的硅(Si)襯底上加工碳納米薄膜.

 

通過拉曼光譜對碳納米薄膜表面物質的組成進行了分析; 利用掃描電鏡(SEM)和原子力顯微鏡(AFM)來顯示薄膜的表面結構; 實驗結果顯示, 輻照時間對 ID/IG 的比值以及碳晶粒的大小都有顯著的影響, 并且高離子束能量能夠促進碳晶粒的結晶同時, 在高能量的離子束下沉積碳納米薄膜,  Si 表面發(fā)現(xiàn)了特殊圖案的碳納米結構: 雪花狀, 方塊狀及四角星狀.

 

KRI 離子源的獨特功能實現(xiàn)了更好的性能增強的可靠性和新穎的材料工藝. KRI 離子源已經(jīng)獲得了理想的薄膜和表面特性而這些特性在不使用 KRI 離子源技術的情況下是無法實現(xiàn)的.

 

因此,該研究項目才采用 KRI 考夫曼射頻離子源 RFCIP220 輔助濺射沉積工藝.

 

伯東是德國 Pfeiffer 真空泵,  檢漏儀,  質譜儀,  真空計,  美國 KRI 考夫曼離子源,  美國HVA 真空閥門,  美國 inTEST 高低溫沖擊測試機,  美國 Ambrell 感應加熱設備和日本 NS 離子蝕刻機等進口知名品牌的代理商.

 

若您需要進一步的了解詳細信息或討論,  請參考以下聯(lián)絡方式:

上海伯東羅先生                               臺灣伯東王女士
T: +86-21-5046-1322                   T: +886-3-567-9508 ext 161
F: +86-21-5046-1490                        F: +886-3-567-0049
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