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KRI 考夫曼射頻離子源 RFCIP220 濺射沉積紅外器件介質(zhì)膜
發(fā)布者:bdqysh  發(fā)布時間:2021-01-15 15:42:08

某紅外半導(dǎo)體鍍膜工業(yè)廠商采用伯東 KRI 考夫曼射頻離子源 RFCIP220 輔助濺射沉積紅外器件介質(zhì)膜以提高鍍膜厚度的均勻性

 

伯東 KRI 射頻離子源 RFICP220 技術(shù)參數(shù):

離子源型號

RFICP220

Discharge

RFICP 射頻

離子束流

>800 mA

離子動能

100-1200 V

柵極直徑

20 cm Φ

離子束

聚焦,  平行,  散射

流量

10-40 sccm

通氣

Ar,  Kr,  Xe,  O2,  N2,  H2,  其他

典型壓力

< 0.5m Torr

長度

30 cm

直徑

41 cm

中和器

LFN 2000

可選燈絲中和器可變長度的增量

KRI 射頻離子源 RFICP 220

提高鍍膜均勻性的重要性:

以碲鎘汞半導(dǎo)體材料為代表的紅外探測器器件工藝中幾乎都要進行表面鈍化和金屬膜電極成型工藝在紅外焦平面和讀出電路的互連工藝中金屬膜的厚度均勻性對于互連工藝的可靠性起著至關(guān)重要的作用.  在背照式紅外探測器的紅光收面往往都要涂鍍一層或數(shù)層介質(zhì)膜以起到對器件進行保護和對紅外輻射減反射的作用介質(zhì)膜的厚度均勻性同樣會影響探測器的濾光和接收帶寬

 

為了提高均勻性客戶同時采用基片離心旋轉(zhuǎn)法樣品臺轉(zhuǎn)速為 15 r/min. 

 

KRI 離子源的獨特功能實現(xiàn)了更好的性能增強的可靠性和新穎的材料工藝. KRI 離子源已經(jīng)獲得了理想的薄膜和表面特性而這些特性在不使用 KRI 離子源技術(shù)的情況下是無法實現(xiàn)的.

 

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上海伯東羅先生                               臺灣伯東王女士
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