日韓SiC半導(dǎo)體產(chǎn)能加速擴張
碳化硅(SiC)半導(dǎo)體的產(chǎn)能擴張正在加速。日本半導(dǎo)體廠商Rohm上周宣布，它已經(jīng)在福岡千谷完成了只使用sic芯片的晶圓廠的建設(shè)，并開始投資設(shè)備。該計劃的目標(biāo)是在2021年安裝設(shè)備，并在2022年開始運營。
SiC半導(dǎo)體的禁帶寬度是現(xiàn)有Si半導(dǎo)體的3倍以上，可以承受10倍高的電壓。SiC半導(dǎo)體開始被安裝在電動汽車逆變器、太陽能逆變器和工業(yè)設(shè)備中。
媒體還報道稱，韓國硅廠選擇SiC半導(dǎo)體作為其新的核心業(yè)務(wù)。這一決定似乎與LG集團最近加速的汽車電子業(yè)務(wù)擴張有關(guān)。據(jù)預(yù)測，韓國SiC芯片設(shè)計市場的規(guī)模將隨著大型企業(yè)的進入而擴大，而這一市場目前主要由中小企業(yè)占據(jù)。
目前，SIC半導(dǎo)體主要的跨國公司包括意法半導(dǎo)體、英飛凌和瑞薩?；诳焖匍_關(guān)與SIC半導(dǎo)體的混合解決方案，英飛凌近年來已生產(chǎn)出數(shù)以百萬計的混合模塊，并被客戶安裝到太陽能及UPS等應(yīng)用領(lǐng)域當(dāng)中。
聯(lián)合SiC推出了一款基于其第四代SiC半導(dǎo)體平臺(而不是現(xiàn)有的650V產(chǎn)品)的750V產(chǎn)品，這款產(chǎn)品很可能被用于汽車市場。與第三代產(chǎn)品相比，新產(chǎn)品的單位面積Rds降低了18~60毫歐姆，輸出電容也有所降低。
采用這種技術(shù)，SiC芯片尺寸更小，電流值更高。SiC的采用預(yù)計將加速直流-直流轉(zhuǎn)換和板載充電、工業(yè)應(yīng)用中的功率因數(shù)校正以及太陽能逆變器。韓國SiC相關(guān)企業(yè)包括rrfic和Metal Life，海外企業(yè)包括Cree、Veeco、STMicroelectronics和Rohm。
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