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KRI 考夫曼射頻離子源 RFICP380 成功用于復(fù)合磁控濺射沉積裝置
發(fā)布者:bdqysh  發(fā)布時(shí)間:2021-01-14 16:27:48

 OEM 系統(tǒng)集成商在搭建系統(tǒng)-復(fù)合磁控濺射沉積裝置, 采用伯東 KRI 考夫曼射頻離子源 RFICP380 作為濺射源.

 

KRI 射頻離子源 RFICP380 技術(shù)參數(shù):

射頻離子源型號(hào)

RFICP380

Discharge 陽(yáng)極

射頻 RFICP

離子束流

>1500 mA

離子動(dòng)能

100-1200 V

柵極直徑

30 cm Φ

離子束

聚焦平行散射

流量

15-50 sccm

通氣

Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他

典型壓力

< 0.5m Torr

長(zhǎng)度

39 cm

直徑

59 cm

中和器

LFN 2000

 

 

該復(fù)合磁控濺射沉積裝置主要包含:

1. 濺射源-KRI 考夫曼射頻離子源 RFICP380

2. 清洗源-KRI 霍爾離子源 eH3000

3. 高功率脈沖磁控濺射電源

4. 真空泵- Pfeiffer 分子泵 HiPace700

5. 基臺(tái)

 

KRI 離子源的獨(dú)特功能實(shí)現(xiàn)了更好的性能增強(qiáng)的可靠性和新穎的材料工藝. KRI 離子源已經(jīng)獲得了理想的薄膜和表面特性而這些特性在不使用 KRI 離子源技術(shù)的情況下是無(wú)法實(shí)現(xiàn)的.

 

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