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NUFLO 9A-100009371流量計(jì)采購
發(fā)布者:yh0610  發(fā)布時(shí)間:2021-01-04 16:08:53

NUFLO 9A-100009371流量計(jì)采購

 NUFLO 9A-100009371流量計(jì)采購U0的大小與測(cè)桿移動(dòng)距離成比例。電感式傳感器配以相應(yīng)的電子放大和指示部分,便成為電感測(cè)微儀。電感式傳感器的分辨率很高,可達(dá)0.01微米,測(cè)量范圍一般小于2毫米,大的可達(dá)幾十毫米。電容式傳感器與電感式傳感器的原理相似,一般是把線圈和磁芯換成固定極筒和可動(dòng)極筒,當(dāng)測(cè)桿移動(dòng)時(shí)產(chǎn)生的是電容量變化。20世紀(jì)80年代初出現(xiàn)了用于電子卡尺的大量程電容傳感器,測(cè)量范圍為 150毫米。電接觸式傳感器是利用電觸點(diǎn)副發(fā)出電信號(hào)判別被測(cè)尺寸合格與否的。

 NUFLO 9A100003474流量計(jì)修理包
NUFLO 9A100002077傳感器
NUFLO 9A-100009371流量計(jì)
NUFLO\\MC-II表\\9A-100079666
NUFLO 渦輪流量計(jì) 100009371/2
流量計(jì)100012094NUFLO
修理包100003472NUFLO
HQ-2000-凡爾膠皮-2030021NUFLO
HQ-2000-風(fēng)扇液壓馬達(dá)-015.61.015.31NUFLO
HQ-2000-啟動(dòng)液壓馬達(dá)-CMD-3A-111NUFLO
HQ-2000-空氣濾芯-7695500KNUFLO
電觸點(diǎn)的移動(dòng)可由測(cè)桿直接傳來,也可經(jīng)杠桿或其他機(jī)構(gòu)放大,以提高其靈敏度。電接觸式傳感器主要用于自動(dòng)測(cè)量中。壓電式傳感器是利用受壓變形時(shí)會(huì)產(chǎn)生電荷的固體材料,例如石英晶體、鋯鈦酸鋁、鈮鎂酸鋁等作為轉(zhuǎn)換元件的,主要用于輕便的上置式表面粗糙度測(cè)量儀中。

HQ-2000-膠聯(lián)劑泵總成-CAT1531NUFLO
HQ-2000-柱塞機(jī)油氣動(dòng)泵-9911-1NUFLO
HQ-2000-2英寸CAMPBEL呼吸閥-FOOT VALVENUFLO

 SOR開關(guān)部分型號(hào):
壓力開關(guān) SOR 54NN-K118-M4-C1A- ADJUSTABLE RANGE:30-0 IN HG OVERRANGE:750PSI PROOF:1000PSI 
壓力開關(guān) SOR 4NN-KK4-M4-C1A- ADJUSTABLE RANGE:2-25 PSI OVERRANGE:750PSI PROOF:1000PSI 
5NN-K45-N4-F1A 45-550PSI (0.31-3.8MPA) 
SOR壓力開關(guān)4NN-EE5-N4-B1A-371  
SOR壓力開關(guān)6NN-K3-N4-F1A
SOR壓力開關(guān)6NN-K5-N4-F1A
SOR壓力開關(guān)6NN-K3-N4-F1A   
SOR壓差開關(guān)101NN-K45-N4-CIA   
SOR壓差開關(guān)101NN-K3-N4-C1A   
SOR壓力開關(guān)5NN-K5-N4-C2A    
SOR壓力開關(guān)9NN-K3-N4-F1A   
將被測(cè)長度先轉(zhuǎn)換為光量,再轉(zhuǎn)換為電量輸出的傳感器。常見的有光柵式(見光柵測(cè)長技術(shù))、激光式、固體陣列式和光導(dǎo)纖維式等。激光式又可分為光波干涉式、掃瞄式和光強(qiáng)式等(見激光測(cè)長技術(shù))。固體陣列傳感器是70年代初期出現(xiàn)的一種圖象傳感器。固體陣列是一種線型或面型的光電轉(zhuǎn)換元件。其中用得較多的是電荷耦合器件(圖3)。它是一種在硅芯片的一面沉積柵電極結(jié)構(gòu)的器件。

SOR壓力開關(guān)6NN-K2-N4-FIA,
SOR壓差開關(guān)101NN-K45-N4-CIA

 DAMCOS  傳感器 160B4171 
DAMCOS  傳感器 160B4174
DAMCOS 傳感器160G0419 
DAMCOS 傳感器160G0421 
DAMCOS 傳感器160G0424  

柵電極和 硅芯片間有一層約為0.1~0.12微米厚的 SiO 2透明絕緣層,形成電容陣列。由于柵電極可以透光,硅芯片是一種光敏材料,當(dāng)光照射在其上時(shí),在內(nèi)部產(chǎn)生電荷載流子,并被收集和存儲(chǔ)在硅芯片的勢(shì)阱中。

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